- [公司新聞]PD快充芯片U8621+同步整流芯片多套電源方案可選2025年07月16日 14:21
- 電源芯片方案的成本優化可從芯片選型、模塊化設計、外圍元件減少等方面實現。采用高集成度電源芯片可大幅減少外圍元件數量。今天推薦的PD快充芯片U8621具有全負載高效率、低空載損耗、低EMI干擾和高EMS抗干擾、極少外圍應用元件等優點，還有搭配的同步整流芯片介紹！ PD快充芯片U8621的啟動電流低至10uA,啟動電路的電阻值可以高達4M,這樣使電源系統擁有更低的損耗；芯片靜態電流低至500uA，使得電源系統設計者更加輕松應對能源之星六或者能效六級的能效標準。頻率抖動功能U86
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- [公司新聞]5V2A充電器電源應用方案：U9513B+U7710SMC2025年07月15日 15:17
- 充電器的選擇直接影響使用體驗。5V2A作為常見的充電規格，電源應用方案的選擇非常重要。深圳銀聯寶科技的5V2A充電器電源應用方案：U9513B+U7710SMC，因安全性高、成本低、兼容強三大優勢一直備受青睞，一起了解下！ 充電器芯片U9513B主要特征： ●內置超高壓功率BTJ ●谷底開通、原邊控制、系統效率高 ●多模式原邊控制方式 ●優異的動態響應 ●集成動態三極管驅動電路 ●工作無異音 ●優化的EMI性能 ●恒流、恒壓調整率小于±5% ●超低待機功耗30
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- [公司新聞]銀聯寶20W快充電源方案：220V單電壓和90-264V全電壓 通通都有！2025年07月02日 10:22
- ■220V單電壓：主控PD快充芯片U8722AH+同步整流IC U7715 PD快充芯片U8722AH集成高壓E-Mode GaN FET，為了保障GaN FET工作的可靠性和高系統效率，芯片內置了高精度、高可靠性的驅動電路，驅動電壓為VDRV(典型值6.2V)。EMI性能為高頻交直流轉換器的設計難點，為此U8722AH通過DEM管腳集成了驅動電流分檔配置功能。通過配置DEM管腳分壓電阻值，可以選擇不同檔位的驅動電流，進而調節GaN FET的開通速度，系統設計者可以獲得最優
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- [公司新聞]抗干擾、極簡外圍的恒壓恒功率PD快充芯片U86232025年06月26日 14:55
- 夏天來了，小風扇成了我們手中的避暑神器。在各大購物平臺，迷你小風扇的搜索量日益上升，成為酷熱高溫里的外出必備單品。迷你小風扇的電源配件銷量也在猛增。如果你正在找尋一顆優質的充電器芯片，建議了解下深圳銀聯寶科技的PD快充芯片U8623！ PD快充芯片U8623是一款恒壓、恒功率、恒溫離線型電流模式PWM電源芯片，內置0.85Ω/650V的超結硅功率MOS。U8623具有全負載高效率、低空載損耗、低EMI干擾和高EMS抗干擾、極少外圍應用元件等優點。U8623在一定條件下適用于
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- [公司新聞]同步整流芯片U7610X搭配不同主控電源管理芯片方案推介！2025年06月20日 14:39
- 同步整流技術是一種提高電源效率的技術。同步整流技術采用導通電阻極低的功率MOSFET管來代替二極管，以降低整流過程中的能量損耗。深圳銀聯寶科技推出了多套同步整流芯片U7610X系列快充電源方案，降耗提效，效果顯著！ 同步整流芯片U7610B+U8621，推薦功率22.5W！ 電源管理芯片U8621是一款恒壓、恒功率、恒溫離線型電流模式PWM電源管理芯片,內置1.9Ω/630V的超結硅功率MOS。U8621具有全負載高效率、低空載損耗、低EMI干擾和高EMS抗干擾、極少外圍應用
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- [公司新聞]高頻高性能帶恒功率氮化鎵電源IC U872XAHE系列2025年06月19日 14:44
- 氮化鎵電源ICU872XAHE系列分為U8724AHE、U8725AHE、U8726AHE三個型號，都是20V單高壓帶恒功率，典型功率表如下： 氮化鎵電源ICU872XAHE系列是一款集成E-GaN的高頻高性能準諧振模式交直流轉換功率開關。芯片集成高壓啟動電路，可獲得快速啟動功能和超低的工作電流，實現小于30mW的超低待機功耗。U872XAHE的工作頻率最高可達220kHz，可全范圍工作在準諧振模式。芯片集成峰值電流抖動功能和驅動電流配置功能，可極大的優化系統EMI性能。芯
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- [公司新聞]PD快充芯片U8766穩定的電壓和頻率優化電源設備2025年06月18日 10:11
- 芯片工作頻率指芯片內部時鐘信號的振蕩速率，是芯片性能的重要基礎。晶體管導通電阻越小、切換速度越快，信號傳輸效率越高。PD快充芯片U8766的工作頻率最高可達220kHz，可全范圍工作在準諧振模式。芯片集成峰值電流抖動功能和驅動電流配置功能，可極大的優化系統EMI性能。U8766內置Boost供電電路，非常適用于寬輸出電壓的應用場景。 針對寬輸出電壓應用場合，為了滿足VDD的寬電壓應用需求，往往需要添加額外的電路或者輔助繞組，導致系統功耗和電路成本的增加。PD快充芯片U876
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- [公司新聞]45W單壓單C氮化鎵電源方案：主控U8722EE+同步U7116W2025年06月04日 10:28
- 45W單壓單C氮化鎵電源方案推薦的主控芯片是來自深圳銀聯寶科技的氮化鎵電源芯片U8722EE，同步也是采用銀聯寶的同步整流芯片U7116W。為大家介紹下芯片的主要性能！ 氮化鎵電源芯片U8722EE特性： 集成700V E-GaN 集成高壓啟動功能 超低啟動和工作電流，待機功耗30mW 谷底鎖定模式，最高工作頻率兩檔可調(220kHz，130kHz) 集成EMI優化技術 驅動電流分檔配置 集成 Boost 供電電路 集成完備的保護功能： VDD過壓/欠壓保護 (VDD OV
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- [公司新聞]內置0.85/650V的超結硅電機驅動器電源芯片U86232025年06月03日 11:38
- ■功能描述 電機驅動器電源芯片U8623是一款峰值電流控制方式的PWM電源管理芯片，適用于離線型的反激拓撲開關變換器。U8623內置合封一顆0.85Ω/650V的高壓MOS。芯片設計有完善的多種保護功能和自適應選擇工作模式，使得適用U8623的電源系統具有全負載高效率、低空載損耗、低EMI干擾和高EMS抗干擾、極少外圍應用元件。 ■系統啟動和靜態電流 電機驅動器電源芯片U8623的啟動電流低至10uA，啟動電路的電阻值可以高達4M，這樣使電源系統擁有更低的損耗；芯片靜態電流
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- [公司新聞]65W集成EMI優化技術的E-GaN電源芯片U8722FE2025年05月22日 14:24
- E-GaN電源芯片U8722FE是U8722X系列最新增加的型號，ID(A)(TJ=125℃)4.0，耐壓700V，推薦功率60W，采用的是ESOP-7封裝，具體腳位如下： 1 CSI/O 電流采樣輸入、最高頻率選擇管腳 2 FB P 系統反饋輸入管腳 3 DEM I/O 消磁檢測、輸出 OVP 檢測、驅動能力分檔判定管腳 4 VDD P 芯片供電管腳 5 SW P Boost 電路內置 MOS 的漏極管腳 6,7 GND P 芯片參考地 8 DRAIN P 內置高壓 GaN
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- [公司新聞]氮化鎵PD快充芯片U8722DAS可減少高頻噪聲和應力沖擊2025年05月16日 11:48
- 氮化鎵PD快充芯片U8722DAS集成輕載SR應力優化功能，在輕載模式下，芯片將原邊開通速度減半（如配置為特定驅動電流檔位時），減緩開關動作的瞬態變化，從而減小次級側SR器件的電壓尖峰，通過分壓電阻設置驅動電流檔位（三檔可選），平衡EMI性能與效率。低驅動電流檔位可降低SR開關速度，減少高頻噪聲和應力沖擊。 氮化鎵PD快充芯片U8722DAS特征： ▲集成 高壓 E-GaN ▲集成高壓啟動功能 ▲超低啟動和工作電流，待機功耗 30mW ▲谷底鎖定模式， 最高工作頻率兩檔可調(
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- [公司新聞]20V單高壓45W氮化鎵電源芯片U8726AHE2025年04月25日 14:31
- EMI性能為高頻交直流轉換器的設計難點，為此氮化鎵電源芯片U8726AHE通過DEM管腳集成了驅動電流分檔配置功能。通過配置DEM管腳分壓電阻值，可以選擇不同檔位的驅動電流，進而調節GaN FET的開通速度，系統設計者可以獲得最優的EMI性能和系統效率的平衡。 氮化鎵電源芯片U8726AHE引腳： 1 CS I/O 電流采樣輸入、最高頻率選擇管腳 2 FB I 系統反饋輸入管腳 3 DEM I/O 消磁檢測、輸出 OVP 檢測、驅動能力分檔判定管腳 4 VDD P 芯片供電管
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- [公司新聞]25W帶恒功率12V單高壓氮化鎵快充芯片U8723AH2025年04月24日 10:17
- 芯片內置Boost電路將功率開關器件（如MOSFET）、驅動電路、反饋網絡等集成于單一封裝，省去分立元件布局，顯著降低PCB面積需求。深圳銀聯寶氮化鎵快充芯片U8723AH內置Boost供電電路，非常適用于寬輸出電壓的應用場景。U8723AH集成峰值電流抖動功能和驅動電流配置功能，可極大的優化系統EMI性能！ 氮化鎵快充芯片U8723AH特性： ●集成 高壓 E-GaN ●集成高壓啟動功能 ●超低啟動和工作電流，待機功耗 30mW ●谷底鎖定模式， 最高工作頻率兩檔可調(2
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- [公司新聞]700V/365mΩ高壓啟動GaN快充芯片U86092025年04月21日 14:31
- GaN快充芯片U8609最高工作頻率130kHz，700V/365mΩ，采用DASOP-7封裝，主推12V3A，合封第三代半導體GaN FET，有利于降低電源尺寸。U8609采用CS Jitter技術，通過調制峰值電流參考值實現頻率抖動，以優化系統EMI。 GaN快充芯片U8609復用CS管腳以設定系統最高工作頻率，CS管腳連接如圖所示。芯片啟動時，U8609通過檢測RSEL電阻從而決定芯片最大工作頻率。設定不同的RSEL電阻值即可選擇兩檔不同的系統工作頻率上限。選檔判定結束
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- [公司新聞]E-GaN電源芯片U8722EE的45W、30W同步搭配推薦2025年04月03日 11:09
- E-GaN電源芯片U8722EE，推薦搭配銀聯寶同步整流芯片U7110W、U7612A，分別可做PD 45W、PD 30W方案，可極大的優化系統EMI性能，非常適用于寬輸出電壓的應用場景！ ■PD45W方案：U8722EE+U7110W 針對寬輸出電壓應用場合，為了滿足VDD的寬電壓應用需求，往往需要添加額外的電路或者輔助繞組，導致系統功耗和電路成本的增加。E-GaN電源芯片U8722EE集成了Boost供電技術，僅在SW管腳添加一顆貼片電感即可，在輸出電壓較低時，Boos
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- [公司新聞]20W恒壓、恒功率、恒溫離線電源方案U8621+ U7610C2025年04月03日 10:37
- 恒功率一般通過動態補償和多模式切換等方式實現，通占空比動態調整，確保輸入電壓波動時輸出功率穩定，另外根據FB腳電平自動切換打嗝模式、變頻模式、恒功率模式，優化全負載效率。銀聯寶電源芯片U8621支持快充適配器應用，具有全負載高效率、低空載損耗、低EMI干擾和高EMS抗干擾、極少外圍應用元件等優點。再搭配同步整流芯片U7610C，打造出一款優質耐用的20W恒壓、恒功率、恒溫離線電源方案！ 銀聯寶電源芯片U8621特性： * 固定 65K 赫茲的開關頻率 * 內置抖頻技
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- [公司新聞]30W氮化鎵電源ic U8608靈活配置最優工作模式2025年03月27日 14:57
- 30W氮化鎵電源icU8608集成E-GaN和驅動電流分檔功能，通過調節驅動電流檔位，可以減少電磁干擾（EMI），優化系統的整體性能和待機功耗。具體來了解一下！ ■ 集成E-GaN和驅動電流分檔功能 30W氮化鎵電源icU8608集成高壓E-Mode GaN FET，為了保障GaN FET工作的可靠性和高系統效率，芯片內置了高精度、高可靠性的驅動電路，驅動電壓為VDRV (典型值 6.35V)。EMI性能為高頻交直流轉換器的設計難點，為此U8608通過DEM管腳集成了驅動電流
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- [公司新聞]恒壓模式可調線損補償小功率電源芯片U6215A2025年03月27日 10:56
- 深圳銀聯寶電源芯片的特點包括高集成度、高效能、低待機功耗、多重保護功能等，適用于小型電子設備、便攜式設備等應用場景。選擇合適的電源芯片需要根據具體的應用需求和設計要求來決定，如果您正在尋找一顆小功率高性能、低成本的原邊控制功率開關芯片，試試銀聯寶6W小功率電源芯片U6215A！ 小功率電源芯片U6215A主要特性： 內置超高壓功率 BTJ 谷底開通、原邊控制、系統效率高 多模式原邊控制方式 優異的動態響應 集成動態三極管驅動電路 工作無異音 優化的 EMI 性能 恒流、恒壓調
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- [公司新聞]65W全壓700V底部無PAD氮化鎵快充芯片U87662025年03月20日 15:32
- 深圳銀聯寶科技推出的氮化鎵快充芯片集成高頻高性能準諧振模式，顯著降低磁性元件體積，同時通過同步整流技術將效率翻番。比如今天介紹的65W全壓700V底部無PAD氮化鎵快充芯片U8766，擁有超低啟動和工作電流，可實現小于30mW的超低待機功耗，勢如破竹！ 氮化鎵快充芯片U8766集成高壓E-Mode GaN FET，為了保障GaN FET工作的可靠性和高系統效率，芯片內置了高精度、高可靠性的驅動電路，驅動電壓為VDRV (典型值 6.2V)。EMI性能為高頻交直流轉換器的
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- [公司新聞]高效、安全管理電能轉換的手機充電器芯片U6107D2025年03月20日 14:44
- 充電器芯片的核心是高效、安全的管理電能轉換與電池充電過程。充電器芯片U6107D是一種高性能的電流模式PWM離線反激變換器電源開關應用。在U6107D中，內部具有高精度65kHz開關頻率振蕩器，且帶有抖頻功能可優化EMI性能。芯片采用綠色節能模式和打嗝模式工作，對于小于40W的應用可以保證小于75mW的待機功耗。 充電器芯片U6107D集成有完備的保護功能，包括：VDD欠壓保護（UVLO）、VDD過壓保護（OVP）、逐周期電流限制、短路保護（SCP）、過載保護（OLP）、過
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