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副邊50W開關電源芯片 SF1530
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副邊反饋/外驅MOSFET,管腳浮空保護
系統頻率可編程，并內置頻率抖動EMI
內置同步斜率補償
逐周期電流限制，內置前沿消隱
內置高低壓過流補償實現全電壓平坦OCP曲線
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原邊25W開關電源芯片 SF6771T
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原邊反饋/外置MOSFET
效率滿足六級能效要求
優化降頻技術提率
零OCP恢復間隙控制避免低壓啟動失敗
內置頻率抖動EMI
內置同步斜率補償. 逐周期電流限制, 內置前沿消隱
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副邊65W開關電源芯片 SF5533
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副邊反饋/外驅MOSFET
效率滿足六級能效要求
優化降頻技術提率
無異音OCP補償低壓重載異音
零OCP恢復間隙控制避免低壓啟動失敗
內置頻率抖動EMI
內置4mS軟啟動, 管腳浮空保護
內置同步斜率補償. 逐周期電流限制, 內置前沿消隱
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副邊18W開關電源芯片 SF5549H
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副邊反饋/內置MOSFET
效率滿足六級能效要求
內置650V 功率MOSFET
內置65KHz 工作頻率
零OCP恢復間隙控制避免低壓啟動失敗
電流啟動
內置4mS軟啟動, 管腳浮空保護
內置頻率抖動EMI
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隔離36W開關電源芯片 SFL950
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提高系統效率，異音。
內置頻率抖動EMI。
系統效率滿足 ‘DoE六級能效’ Tier2 要求。
內置高低壓過流補償。
內置軟啟動，啟動電流，管腳浮空保護。
待機功耗(≤75mW)
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副邊15W開關電源芯片 SF5539H
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效率滿足六級能效要求
副邊反饋/內置600V 功率MOSFET
內置65KHz 工作頻率
零OCP恢復間隙控制避免低壓啟動失敗
內置4mS軟啟動, 管腳浮空保護
內置頻率抖動EMI
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24W系列 12V2A能效六級方案
提高系統效率，異音更多 +
內置軟啟動, 管腳浮空保護
效率滿足 六級能效
啟動電流
QR技術提高全負載效率,EMI和谷底切換異音
輸出過壓保護電壓可外部編程
逐周期電流限制, 內置前沿消隱
VDD欠壓保護(ULVO), 過壓保護及鉗位
零電壓帶載啟動減小OCP恢復間隙
內置頻率抖動EMI
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18W系列12V1.5A能效六級方案
更多 +
效率滿足六級能效要求
內置650V 功率MOSFET
內置65KHz 工作頻率
零OCP恢復間隙控制避免低壓啟動失敗
電流啟動
內置4mS軟啟動, 管腳浮空保護
內置頻率抖動EMI
內置逐周期電流限制, 內置前沿消隱
內置高低壓過流補償實現全電壓平坦OCP曲線
VDD欠壓保護(ULVO), 過壓保護及鉗位
OLP可編程
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65W系列 19V3.42A能效六級方案
優化降頻技術提率更多 +
零OCP恢復間隙控制避免低壓啟動失敗
效率滿足 六級能效
內置4mS軟啟動, 管腳浮空保護
無異音OCP補償低壓重載異音
OLP時間可編程
VDD欠壓保護(ULVO), 過壓保護及鉗位
內置同步斜率補償. 逐周期電流限制, 內置前沿消隱
內置頻率抖動EMI
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48W系列 48W能效六級方案
提高系統效率，異音。更多 +
內置頻率抖動EMI。
系統效率滿足 ‘DoE六級能效’ Tier2 要求。
內置高低壓過流補償。
內置軟啟動，啟動電流，管腳浮空保護。
待機功耗(≤75mW)
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5W系列 5V1A能效六級方案
QR-PSR控制提高工作效率更多 +
內置700V 功率三極管
效率滿足 ‘DoE六級能效’，待機＜75mW
±4％恒壓恒流精度，多模式PSR控制內置頻率抖動EMI
內置快速動態響應控制，無異音工作
自動補償輸入電壓.電感感量變化,實現高精度
逐周期電流限制, 內置前沿消隱
VDD欠壓保護（UVLO）,過壓保護及鉗位
OTP過溫保護
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10W系列 5V2A能效六級方案
±4％恒壓恒流精度，多模式PSR控制。更多 +
內置頻率抖動EMI。
系統效率滿足 ‘DoE六級能效’ Tier2 要求。
內置高低壓過流補償。
內置快速動態響應控制，無異音工作。
輸出過壓保護，VDD欠壓保護，VDD過壓保護及鉗位。
QR-PSR控制提高工作效率。
內置600V 功率MOSFET
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12W系列 12V1A能效六級方案
專利QR控制，提高系統效率，異音。更多 +
效率滿足六級能效要求。
內置頻率抖動EMI。
內置高低壓過流補償。
內置軟啟動，啟動電流，管腳浮空保護。
內置專利的線損補償,提高量產精度。
內置反饋腳(FB)短路保護
支持高50V 輸出電壓
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5W系列 5V1A能效六級方案
QR-PSR控制提高工作效率更多 +
內置700V 功率三極管
效率滿足 ‘DoE六級能效’，待機＜75mW
±4％恒壓恒流精度，多模式PSR控制內置頻率抖動EMI
內置快速動態響應控制，無異音工作
自動補償輸入電壓.電感感量變化,實現高精度
逐周期電流限制, 內置前沿消隱
VDD欠壓保護（UVLO）,過壓保護及鉗位
OTP過溫保護
- [公司新聞]恒功率、恒壓、恒溫離線型電流模式快充電源ic ——U86232025年08月28日 15:06
- 恒功率芯片具有穩壓、高效、過載保護等特性。恒壓芯片的核心功能是提供穩定的電壓輸出；恒流芯片則主要用于電源和驅動電路中，維持輸出電流的恒定。深圳銀聯寶快充電源icU8623是一款恒壓、恒功率、恒溫離線型電流模式PWM電源管理芯片，內置0.85Ω/650V的超結硅功率MOS！ 快充電源icU8623具有全負載高效率、低空載損耗、低EMI干擾和高EMS抗干擾、極少外圍應用元件等優點。U8623在一定條件下適用于輸入電壓AC90V-264V的輸出功率為22.5W以內的離線式反激開關
- 閱讀（12） 標簽：
- [公司新聞]36W副邊氮化鎵應用方案——U8722DE+U7612B2025年08月25日 14:54
- ■方案介紹及產品特色 氮化鎵電源芯片U8722DE是一款集成E-GaN的高頻高性能準諧振模式交直流轉換功率開關。芯片集成高壓啟動電路，可獲得快速啟動功能和超低的工作電流，實現小于30mW的超低待機功耗。 特色如下： ●集成 700V E-GaN ●集成高壓啟動功能 ●超低啟動和工作電流，待機功耗 30mW ●谷底鎖定模式， 最高工作頻率兩檔可調(220kHz，130kHz) ●集成 EMI 優化技術 ●驅動電流分檔配置 ●
- 閱讀（7） 標簽：
- [公司新聞]銀聯寶氮化鎵電源芯片U872XAHE系列新成員——U8727AHE2025年08月22日 10:04
- 好消息！深圳銀聯寶科技氮化鎵電源芯片U872XAHE系列，規格書升級，新增料號U8727AHE，封裝形式ESOP-7，集成MOS耐壓700V，推薦最大輸出功率100W！ 氮化鎵電源芯片U8727AHE特性： 集成高壓E-GaN 集成高壓啟動功能 超低啟動和工作電流，待機功耗30mW 谷底鎖定模式，最高工作頻率兩檔可調(220kHz，130kHz) 集成EMI優化技術 驅動電流分檔配置 集成Boost供電電路 集成完備的保護功能： VDD過壓/欠壓保護(VDD OVP/UVL
- 閱讀（7） 標簽：
- [公司新聞]5-24V適配器E-GaN電源應用方案：U8722DE+U7110W2025年08月14日 14:26
- 電源適配器能將家庭用電的高電壓轉換成設備能工作的穩定低電壓，確保設備正常運行。除了電腦、手機、游戲機，還廣泛配套于安防攝像頭、機頂盒、路由器、燈條、按摩儀等設備中。深圳銀聯寶今天推薦的是5-24V適配器E-GaN電源應用方案：U8722DE+U7110W。 E-GaN電源芯片U8722DE主要特征： 集成700V E-GaN 集成高壓啟動功能 超低啟動和工作電流，待機功耗30mW 谷底鎖定模式，最高工作頻率兩檔可調(220kHz，130kHz) 集成EMI優化技術 驅動電流分
- 閱讀（6） 標簽：
- [公司新聞]氮化鎵快充芯片U8725AHE平衡效率和最優EMI性能2025年07月18日 11:23
- 氮化鎵充電器的高功率密度，能在很小的體積里給出更高的功率，所以氮化鎵充電器個頭更小，重量也更輕。且能把電能轉換得更有效，能量損失也少，充電速度就能變得更快。推薦一款快速啟動功能和超低的工作電流氮化鎵快充芯片——U8725AHE，可實現小于30mW的超低待機功耗！ 氮化鎵快充芯片U8725AHE成高壓E-Mode GaN FET，為了保障GaN FET工作的可靠性和高系統效率，芯片內置了高精度、高可靠性的驅動電路，驅動電壓為VDRV(典型值 6.4V)。
- 閱讀（6） 標簽：
- [公司新聞]5v2a小功率離線式手機充電器ic U951432025年07月17日 10:42
- 手機充電器ic是充電設備中的核心部件，關乎充電效率與安全性。在尋找高效充電解決方案時，不妨考慮深圳銀聯寶的這款手機充電器icU95143。U95143是一款高性能、低成本的原邊控制功率開關，內置高壓功率三極管，可提供高精度恒壓和恒流輸出性能，尤其適合于小功率離線式充電器應用！ 手機充電器icU95143主要特性： 內置超高壓功率BTJ 谷底開通、原邊控制、系統效率高 多模式原邊控制方式 優異的動態響應 集成動態三極管驅動電路 工作無異音 優化的EMI性能 恒流、恒壓調整率小
- 閱讀（16） 標簽：
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