- [公司新聞]12v2a快充電源ic U8607完善保護增強防御機制2025年06月12日 14:41
- 電源ic的保護功能，其核心意義在于構建多層次安全防線，確保硬件安全、數據完整及系統可靠性，通過實時監測電流電壓，異常時切斷電路，減少開關損耗，降低故障率并提升能效。今天介紹的是深圳銀聯寶科技12v2a快充電源icU8607多種保護功能！ ■ 輸入過欠壓保護 (Line OVP/BOP) 快充電源icU8607通過DRAIN管腳對母線電壓進行采樣，當母線電壓值小于Line BOP保護閾值VBOP(典型值70Vac)時，芯片內部的Line BOP延遲計時使能，計時時間為TBOP
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- [公司新聞]銀聯寶快充電源ic U8731滿足快速充電硬核需求2025年06月11日 14:15
- 作為蘋果全新打造的iOS操作系統，視覺效果確實令人耳目一新，但新界面所帶來的耗電量嚴重、續航時間縮短、機身發熱發燙等問題，讓體驗感大打折扣。無論系統多么炫酷，對于手機而言，電量是血液，手機充電器則是供血站。還好有深圳銀聯寶科技帶來的，集成GaN FET、帶恒功率功能的高性能快充電源icU8731，可以讓充電效率翻倍，續航升級，一起看看吧！ E-GaN快充電源icU8731特點： ●集成 700V E-GaN ●集成高壓啟動功能 ●超低啟動和工作電流，待機功耗 30mW ●谷
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- [公司新聞]20V單高壓帶恒功率氮化鎵PD快充芯片U8725AHE2025年06月05日 15:07
- 充電器和適配器等快充設備，需匹配高功率密度與寬電壓輸出范圍的快充芯片。深圳銀聯寶科技推出的20V單高壓帶恒功率氮化鎵PD快充芯片U8725AHE，集成高壓啟動、功率器件和保護電路，省去外部Boost/Buck電路及分立元件，縮小PCB面積；內置高壓E-GaN和Boost供電電路，支持寬電壓輸出，切莫錯過！ PD快充芯片U8725AHE主要特性： 1.集成 高壓 E-GaN 2.集成高壓啟動功能 3.超低啟動和工作電流，待機功耗 30mW 4.谷底鎖定模式， 最高工作頻率兩檔可
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- [公司新聞]恒壓恒流PSR 12V2A氮化鎵電源方案U8608+U7613A2025年06月05日 11:26
- 在手機充電器的應用中，電池與充電器之間一般會通過一定長度的電纜相連，由此也將導致輸送到電池端的電壓產生一定的電壓降。氮化鎵電源icU8608內置線損補償功能，根據負載的變化調整線損補償量，從而使得線纜輸出端獲得平直的恒壓輸出曲線。線損補償的最大值為輸出電壓的3%。再搭配同步整流icU7613A，就可獲得一個品質可靠、性能高效的恒壓恒流PSR 12V2A氮化鎵電源方案！ 深圳銀聯寶氮化鎵電源icU8608是一款集成E-GaN的恒壓恒流PSR反激功率開關管，可為18~65W適配器
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- [公司新聞]45W單壓單C氮化鎵電源方案：主控U8722EE+同步U7116W2025年06月04日 10:28
- 45W單壓單C氮化鎵電源方案推薦的主控芯片是來自深圳銀聯寶科技的氮化鎵電源芯片U8722EE，同步也是采用銀聯寶的同步整流芯片U7116W。為大家介紹下芯片的主要性能！ 氮化鎵電源芯片U8722EE特性： 集成700V E-GaN 集成高壓啟動功能 超低啟動和工作電流，待機功耗30mW 谷底鎖定模式，最高工作頻率兩檔可調(220kHz，130kHz) 集成EMI優化技術 驅動電流分檔配置 集成 Boost 供電電路 集成完備的保護功能： VDD過壓/欠壓保護 (VDD OV
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- [公司新聞]集成MOS耐壓700V低啟動低功耗的PD快充芯片U8722SP2025年05月30日 14:16
- 耐壓值定義了芯片安全工作電壓上限，若輸入電壓超過該值（如動態波動或負載突變），可能引發擊穿或永久損壞，直接影響器件可靠性、性能表現及系統適配性。高耐壓芯片需更大厚度或更高電阻率的半導體材料，工藝制程要求更高。深圳銀聯寶科技的PD快充芯片U8722SP是一款集成 E-GaN 的高頻高性能準諧振模式交直流轉換功率開關，集成MOS耐壓700V，值得一試！ PD快充芯片U8722SP集成了高壓啟動功能。如圖1所示，在啟動階段，U8722SP通過芯片DRAIN腳對VDD充電，當VDD電
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- [公司新聞]12v3a原邊反饋快充電源ic U8609節省光耦和TL4312025年05月29日 14:48
- GaN FET支持MHz級開關頻率，顯著高于傳統硅基器件，通過減小無源元件體積實現系統小型化，使開關損耗降低20%-30%。深圳銀聯寶快充電源icU8609合封第三代半導體GaN FET，最高工作頻率130kHz，采用原邊反饋控制，可節省光耦和TL431，簡化電源BOM，有利于降低電源尺寸！ 快充電源icU8609是一款集成E-GaN的恒壓恒流PSR反激功率開關管，可為18~65W適配器應用提供全新的解決方案。U8609集成谷底鎖定技術可以防止頻率抖動產生噪音。它采用CS
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- [公司新聞]ASOP7-T4封裝E-GaN快充電源芯片U8724AHS2025年05月29日 11:25
- 芯片的腳位是芯片與外部電路進行連接的橋梁。通過引腳，芯片可以與電路板上的其他組件進行連接，構成完整的電路。引腳用于為芯片提供電源和接地，還可以用于控制和指示芯片的工作狀態。今天，就請跟著銀聯寶小編的視角，一起看看關于快充電源芯片U8724AHS引腳的事！ 快充電源芯片U8724AHS封裝形式ASOP7-T4，引腳特征如下： 1 CS I/O 電流采樣輸入、最高頻率選擇管腳 2 FB I 系統反饋輸入管腳 3 DEM I/O 消磁檢測、輸出 OVP 檢測、驅動能力分檔判定管腳
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- [公司新聞]22.5W PD快充電源芯片應用方案之U8621+U7610B2025年05月28日 14:28
- 受限于設備本身的體積和當下電池技術的瓶頸，電池容量無法顯著突破，快速“補電”成為了眼下解決電量焦慮的最切實可行的解決辦法。深圳銀聯寶今天推薦的是22.5W快充電源芯片應用方案之——U8621+U7610B！ 快充電源芯片U8621是一款峰值電流控制方式的PWM電源管理芯片，適用于離線型的反激拓撲開關變換器。U8621內置合封一顆1.9Ω/630V的高壓MOS。芯片設計有完善的多種保護功能和自適應選擇工作模式，使得適用U8621
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- [公司新聞]耐壓650V氮化鎵快充芯片U8733L優化能源利用效率2025年05月27日 11:34
- 恒功率控制方式通過精確的控制策略和先進的電子技術，實現了在各種工況下輸出功率的恒定。其基本原理是通過調節系統的輸入或輸出參數（如電壓、電流等），使得系統在負載變化時能夠維持輸出功率不變。銀聯寶氮化鎵快充芯片U8733L集成恒功率控制與主動降功率控制功能，在恒功率區間，通過控制輸出電流隨輸出電壓變化，實現恒功率功能。 氮化鎵快充芯片U8733L特征： 集成 700V E-GaN 集成高壓啟動功能 超低啟動和工作電流，待機功耗 30mW 谷底鎖定模式，最 高 工 作 頻 率 兩
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- [公司新聞]全電壓！PD 20W氮化鎵電源方案認證款：U8722BAS+U7612B2025年05月22日 10:39
- 上次給大家介紹了20W氮化鎵單電壓的應用方案，立馬就有小伙伴發出了全電壓應用方案的需求。深圳銀聯寶科技有求必應，PD 20W氮化鎵電源方案全電壓認證款：U8722BAS+U7612B方案來咯！ 主控氮化鎵電源芯片U8722BAS是一款集成E-GaN的高頻高性能準諧振模式交直流轉換功率開關。芯片集成高壓啟動電路，可獲得快速啟動功能和超低的工作電流，實現小于30mW的超低待機功耗。U8722BAS的工作頻率最高可達220kHz，可全范圍工作在準諧振模式。芯片集成峰值電流抖動功能
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- [公司新聞]氮化鎵GaN快充芯片U8732輕松應對充電問題2025年05月21日 14:36
- 氮化鎵充電器與普通充電器在充電效率方面對比，性能遙遙領先。它支持多種快充協議，如PD、QC等，能夠智能識別設備所需的充電功率，實現快速充電。無論是蘋果手機、安卓手機，還是筆記本電腦、平板電腦，氮化鎵充電器都能輕松應對，一充搞定。充電器自然離不開芯片的支持，今天主推的就是來自深圳銀聯寶科技的氮化鎵GaN快充芯片U8732！ 氮化鎵GaN快充芯片U8732特點： 1.集成 700V E-GaN 2.集成高壓啟動功能 3.超低啟動和工作電流，待機功耗 30mW 4.谷底鎖定模式，
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- [公司新聞]氮化鎵PD快充ic U8608輸入過欠壓保護電路安全運行2025年05月19日 11:36
- 過壓保護和欠壓保護是維護芯片電路安全運行的關鍵功能。有些芯片會提供一個欠壓保護引腳，當欠壓保護被觸發時，該引腳會產生一個信號。通過檢測該引腳的狀態，可以判斷芯片是否處于欠壓保護狀態。深圳銀聯寶氮化鎵PD快充icU8608輸入過欠壓保護 (Line OVP/BOP)，先來看看它的引腳。 PD快充icU8608引腳特征： 1 NTC I/O 外置過溫檢測管腳 2 COMP I/O 運放輸出，在該 pin 腳和 GND 之間連接阻容網絡用于調節環路。 3 FB I/O 輸出反饋、
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- [公司新聞]20W氮化鎵電源ic U8722SP谷底鎖定模式優化損耗2025年05月15日 14:33
- 谷底鎖定模式是一種應用于開關電源如反激式拓撲、準諧振電源中的關鍵技術，其核心在于通過精確控制開關管的導通時機以降低損耗和提升系統穩定性。在深圳銀聯寶科技最新推出的20W氮化鎵電源icU8722SP中，谷底鎖定及降頻工作模式，可以有效避免負載變化時因谷底跳頻導致的變壓器工作不穩定或噪聲問題，延長器件壽命，也為系統效率帶來了一定的提升！ 氮化鎵電源icU8722SP采用峰值電流控制模式，可以自適應的工作在QR和降頻工作模式，從而實現全負載功率范圍內的效率優化。在滿載和重載工況下
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- [公司新聞]45W集成高壓E-GaN快充電源方案U8726AHE+U72692025年05月15日 10:56
- 氮化鎵電源電路由于減少了元件數量和功率轉換器占用的空間而更具吸引力。深圳銀聯寶科技作為E-GaN快充電源方案制造商，大量投入工程研發以應對各類技術挑戰，為市場提供了各種功率級和多種功能的集成解決方案，今天推薦的是銀聯寶45W集成高壓E-GaN快充電源方案U8726AHE+U7269！ 快充電源芯片U8726AHE集成高壓E-Mode GaN FET，為了保障GaN FET工作的可靠性和高系統效率，芯片內置了高精度、高可靠性的驅動電路，驅動電壓為VDRV (典型值6.4V)。E
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- [公司新聞]30W E-GaN高頻高性能快充電源ic U87312025年05月14日 11:14
- GaN器件采用二維電子氣結構，能夠提供更高的電子遷移率和導電性能，因此適用于高頻應用，可以實現更高效的功率轉換。深圳銀聯寶科技研發生產的快充電源icU8731，集成700VE-GaN，高頻高性能，推薦工作頻率130KHz/220KHz，推薦最大輸出功率30W，介紹給小伙伴們！ 快充電源icU8731采用的是HSOP-7封裝，管腳說明如下： 1 CS I/O 電流采樣輸入、最高頻率選擇管腳 2 FB I 系統反饋輸入管腳 3 DEM I/O 消磁檢測、輸出 OVP 檢測、驅動能
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- [公司新聞]12V2A/3A氮化鎵電源方案U8607/U8609+同步整流芯片U76132025年05月13日 10:54
- 深圳銀聯寶科技最新上市的氮化鎵電源方案：U8607/U8609+同步整流芯片U7613，推薦輸出功率12V2A、12V3A，非標共板，方案成熟，性能可靠，可滿足更高性能要求、更低成本需求！ 氮化鎵電源芯片U8607/U8609采用原邊反饋控制，可節省光耦和TL431，簡化電源BOM。它合封第三代半導體GaN FET，最高工作頻率130kHz，有利于降低電源尺寸。特征如下： *原邊反饋控制，無需光耦和 TL431 *集成 700V GaN FET 驅動 *集成高壓啟動功能 *
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- [公司新聞]33W全負載高效率超結硅電源管理方案：U8623+U7612B2025年05月12日 14:49
- 由于芯片結構的改變，超結MOS的結電容比傳統MOS有很大的降低，超結MOS具有極低的內阻，在相同的芯片面積下，超結MOS芯片的內阻甚至只有傳統MOS的一半以上。較低的內阻，能降低損耗，減少發熱。今天深圳銀聯寶科技帶來的是33W全負載高效率超結硅電源管理方案：U8623+U7612B，可顯著提升產品的易用性和效率！ 電源管理芯片U8623是一款恒壓、恒功率、恒溫離線型電流模式PWM 電源管理芯片，內置0.85Ω/650V的超結硅功率 MOS。U8623具有全負載高效率、低空載
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- [公司新聞]氮化鎵PD快充芯片U8733集成恒功率與主動降功率多控制功能2025年05月09日 11:32
- 芯片恒功率控制，意味著無論負載變化如何，系統都能保持恒定的輸出功率，確保設備在各種工作條件下都能穩定運行。當檢測到系統溫度過高時，主動降功率功能會啟動，以降低系統溫度，防止過熱。深圳銀聯寶科技的氮化鎵PD快充芯片U8733，就集成了恒功率控制和主動降功率控制功能，一起來看看！ 氮化鎵PD快充芯片U8733集成恒功率控制與主動降功率控制功能，在恒功率區間，通過控制輸出電流隨輸出電壓變化，實現恒功率功能。外置溫度檢測環境溫度，當溫度過高主動降功率以降低系統溫度，保證系統穩定
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- [公司新聞]PD 20W氮化鎵單電壓應用方案：U8722AH+U77152025年05月07日 14:23
- 深圳銀聯寶科技推出的PD20W氮化鎵單電壓應用方案，主控芯片使用的是氮化鎵快充芯片U8722AH，同步整流芯片U7715，協議338E。輸入規格：180V-264V 50Hz，輸出規格：C口，PD20W：5V3A / 9V2.22A / 12V1.67A。 氮化鎵快充芯片U8722AH特點： 1.集成 700V E-GaN 2.集成高壓啟動功能 3.超低啟動和工作電流，待機功耗 30mW 4.谷底鎖定模式， 最高工作頻率兩檔可調(220kHz，130kHz) 5.集
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