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集成MOS耐壓700V低啟動低功耗的PD快充芯片U8722SP

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瀏覽:- 發(fā)布日期:2025-05-30 14:16:46【

耐壓值定義了芯片安全工作電壓上限,若輸入電壓超過該值(如動態(tài)波動或負載突變),可能引發(fā)擊穿或永久損壞直接影響器件可靠性、性能表現(xiàn)及系統(tǒng)適配性。高耐壓芯片需更大厚度或更高電阻率的半導(dǎo)體材料,工藝制程要求更高。深圳銀聯(lián)寶科技的PD快充芯片U8722SP是一款集成 E-GaN 的高頻高性能準諧振模式交直流轉(zhuǎn)換功率開關(guān),集成MOS耐壓700V,值得一試!

PD快充芯片U8722SP集成了高壓啟動功能。如圖1所示,在啟動階段U8722SP通過芯片DRAIN腳對VDD充電VDD電壓達到VVDD_ON( 典型值12V)時,高壓供電關(guān)閉。輸出建立后,芯片供電由輔助繞組提供。

8722SP-1

如圖2所示,在啟動過程中,當VDD低于3V時,高壓供電電路對VDD電容的充電電流為IHV1(典型值 0.3mA),小電流充電,可以降低VDD引腳對地短路時的芯片功耗。當VDD電壓超過3V時,充電電流增加到IHV2 (典型值 3.4mA),以縮短啟動時間,隨VDD電壓升高,充電電流逐漸減小。當VDD電壓降到VVDD_REG (典型值 9V)時,高壓供電電路再次開啟,以維持VDD電壓。但是,如果低鉗位供電狀態(tài)持續(xù)時間超過75ms,并且系統(tǒng)工作在非輕載模式時,芯片將觸發(fā)保護。當PD快充芯片U8722SP觸發(fā)保護狀態(tài)時,系統(tǒng)停止打驅(qū)動,高壓供電電路開啟,維持VDD電壓在VVDD_REG_ST(典型值 12V)

8722SP-2

PD快充芯片U8722SP采用峰值電流控制模式,可以自適應(yīng)的工作在QR和降頻工作模式,從而實現(xiàn)全負載功率范圍內(nèi)的效率優(yōu)化。在滿載和重載工況下,系統(tǒng)工作在QR工作模式,可以大幅降低系統(tǒng)的開關(guān)損耗。U8722SP根據(jù)FB電壓值調(diào)節(jié)谷底個數(shù),同時為了避免系統(tǒng)在臨界負載處的FB電壓波動導(dǎo)致谷底數(shù)跳變產(chǎn)生噪音,采用了谷底鎖定工作模式在負載一定的情況下,導(dǎo)通谷底數(shù)穩(wěn)定,系統(tǒng)無噪音。

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