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30W E-GaN高頻高性能快充電源ic U8731

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瀏覽:- 發布日期:2025-05-14 11:14:36【

GaN器件采用二維電子氣結構,能夠提供更高的電子遷移率和導電性能,因此適用于高頻應用,可以實現更高效的功率轉換。深圳銀聯寶科技研發生產的快充電源ic U8731,集成700V E-GaN,高頻高性能,推薦工作頻率130KHz/220KHz,推薦最大輸出功率30W,介紹給小伙伴們!

快充電源ic U8731采用的是HSOP-7封裝,管腳說明如下:

1 CS I/O 電流采樣輸入、最高頻率選擇管腳

2 FB I 系統反饋輸入管腳

3 DEM I/O 消磁檢測、輸出 OVP 檢測、驅動能力分檔判定管腳

6 VDD P 芯片供電管腳

4 NTC I/O 外置溫度檢測,過溫降功率和過溫保護功能

5 GND P 芯片參考地

7 DRAIN P 內置高壓 GaN FET 漏極、高壓啟動供電管腳

快充電源ic U8731集成外置NTC功能,NTC引腳外接NTC電阻,通過內部上拉電流源上拉,檢測TEM引腳電壓,當判定TEM管腳電壓Vntc <VCP時,觸發降功率功能。當判定TEM管腳電壓Vntc < VOTP時,觸發外置過溫保護功能。降功率功能和過溫保護設置1.2V的遲滯區間。

873X-5

快充電源ic U8731通過輔助繞組檢測輸出電壓的范圍設定系統工作于不同的工作狀態下,包括恒壓模式(CV)、恒功率模式(CP)和恒流模式(CC)。同時通過外置NTC檢測,設置不同的恒功率參數,實現降功率功能。具體為,當芯片未觸發降功率功能時,在2.8V<Vdem<3.1V時,芯片工作在恒功率模式(CP),系統實際輸出最大功率計算公式如下:

873X.

Vdem<2.8V或者3.1V<Vdem 時,芯片工作在恒流模式,根據VCC_Ref1恒流基準計算輸出恒流值,公式如下:

873X..

當芯片外置NTC檢測到達到降功率閾值后,芯片內部的恒功率和恒流參數切換到VCP_Ref2VCC_Ref2,從而實現降功率的功能。快充電源ic U8731集成外置溫度檢測和恒功率功能,具有更好的高頻性能和高效率,推薦一試!

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    【本文標簽】:30W E-GaN高頻高性能快充電源ic U8731
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