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04-28 2025
氮化鎵快充芯片U8608集成多維度安全防護機制 深圳銀聯寶氮化鎵快充芯片U8608具有多重故障保護機制,通過集成多維度安全防護,防止設備出現過充電、過放電、過電流等問題,在電子設備中構建起全方位的安全屏障,今天具體分析一下! ■輸入過欠壓保護 (Line OVP/BOP) 氮化鎵快充芯片U8608通過DRAIN管腳對母線電壓進行采樣,當母線電壓值小于Line BOP 保護閾值VBOP (典型值70Vac)時,芯片內部的Line BOP延遲計時使能,計時時間為TBOP_DELAY(典型值 80ms),計時結束后觸發Lin 查看詳情
04-27 2025
耐壓700V氮化鎵電源ic U8765散熱性能優越 氮化鎵憑借高頻高效特性,具備了體積小、功率高、發熱低等優勢,但小型化雖好,散熱才是硬道理,選氮化鎵電源ic得看準散熱設計。今天就給小伙伴們推薦一款散熱性能優越、耐壓700V的氮化鎵電源icU8765! 當氮化鎵電源icU8765結溫超過TSD (典型值150℃)時,芯片停止工作,進入過熱保護。當芯片溫度下降至TRC (典型值 120℃),芯片重新啟動。U8765封裝類型ESOP-10W,引腳分析如下: 1 HV P 高壓啟動管腳 2 DRAIN P GaN FET 漏極引腳 查看詳情
04-25 2025
20V單高壓45W氮化鎵電源芯片U8726AHE EMI性能為高頻交直流轉換器的設計難點,為此氮化鎵電源芯片U8726AHE通過DEM管腳集成了驅動電流分檔配置功能。通過配置DEM管腳分壓電阻值,可以選擇不同檔位的驅動電流,進而調節GaN FET的開通速度,系統設計者可以獲得最優的EMI性能和系統效率的平衡。 氮化鎵電源芯片U8726AHE引腳: 1 CS I/O 電流采樣輸入、最高頻率選擇管腳 2 FB I 系統反饋輸入管腳 3 DEM I/O 消磁檢測、輸出 OVP 檢測、驅動能力分檔判定管腳 4 VDD P 芯片供電管 查看詳情
04-24 2025
具有雙LDO供電配置的同步整流ic U7268 同步整流icU7268是一款高性能副邊同步整流控制器,當配合外置MOS使用時,可以替代肖特基整流二極管以提高系統效率。U7268支持High Side和Low Side配置,且內置有VDD高壓供電模塊,無需輔助繞組供電,降低了系統成本。U7268具有快速關斷功能,支持斷續工作模式(DCM)、準諧振工作模式(QR)及連續工作模式(CCM)。U7268內部集成有智能的開通檢測功能,可以有效防止斷續工作模式(DCM)中由于Vds振蕩引起的SR誤開通。 PCB 設計對同步整流icU 查看詳情
04-24 2025
25W帶恒功率12V單高壓氮化鎵快充芯片U8723AH 芯片內置Boost電路將功率開關器件(如MOSFET)、驅動電路、反饋網絡等集成于單一封裝,省去分立元件布局,顯著降低PCB面積需求。深圳銀聯寶氮化鎵快充芯片U8723AH內置Boost供電電路,非常適用于寬輸出電壓的應用場景。U8723AH集成峰值電流抖動功能和驅動電流配置功能,可極大的優化系統EMI性能! 氮化鎵快充芯片U8723AH特性: ●集成 高壓 E-GaN ●集成高壓啟動功能 ●超低啟動和工作電流,待機功耗 30mW ●谷底鎖定模式, 最高工作頻率兩檔可調(2 查看詳情
04-23 2025
700V/165mΩ HV高壓啟動頻率可調氮化鎵快充芯片U8766 700V/165mΩ HV高壓啟動頻率可調氮化鎵快充芯片U8766,推薦功率為65W,代表機型有5V3A、9V3A、12V3A、15V3A、20V3.25A等。 氮化鎵快充芯片U8766集成了高壓啟動功能。在啟動階段,U8766通過芯片HV腳對VDD充電,當VDD電壓達到VVDD_ON(典型值 12V)時,高壓供電關閉。輸出建立后,芯片供電由輔助繞組提供。在啟動過程中,當VDD低于3V時,高壓供電電路對VDD電容的充電電流為IHV1 (典型值 0.5mA),小電流充電,可以 查看詳情
04-22 2025
銀聯寶氮化鎵電源芯片U8733L與U8733差異化分析 氮化鎵電源芯片U8733L與U8733同屬U8733X系列,都是外置OTP,自帶降功率(限12V最大輸出),集成高壓啟動電路,可獲得快速啟動功能和超低的工作電流,實現小于30mW的超低待機功耗。但參數性能略有不同,今天就為各位小伙伴詳細拆解一下兩者不同之處! ▲U8733L Vds 耐壓650V,Rdson內阻0.8R,ID電流2.5A,推薦功率33W。 ▲U8733 Vds 耐壓700V,Rdson內阻0.47--0.6R,ID電流3.3A,推薦功率33W-45W ▲封裝 查看詳情
04-21 2025
700V/365mΩ高壓啟動GaN快充芯片U8609 GaN快充芯片U8609最高工作頻率130kHz,700V/365mΩ,采用DASOP-7封裝,主推12V3A,合封第三代半導體GaN FET,有利于降低電源尺寸。U8609采用CS Jitter技術,通過調制峰值電流參考值實現頻率抖動,以優化系統EMI。 GaN快充芯片U8609復用CS管腳以設定系統最高工作頻率,CS管腳連接如圖所示。芯片啟動時,U8609通過檢測RSEL電阻從而決定芯片最大工作頻率。設定不同的RSEL電阻值即可選擇兩檔不同的系統工作頻率上限。選檔判定結束 查看詳情
04-18 2025
12V單高壓20W-25W氮化鎵快充芯片U8722BAS 氮化鎵快充芯片U8722BAS復用CS管腳以設定系統最高工作頻率,CS管腳連接如圖所示。 芯片啟動時,U8722BAS通過檢測RSEL電阻從而決定芯片最大工作頻率。設定不同的RSEL電阻值即可選擇兩檔不同的系統工作頻率上限。選檔判定結束后系統鎖定,每一次啟動都伴隨一次判定。 氮化鎵快充芯片U8722BAS封裝類型 ASOP7-T4,引腳名稱如下: 1 CS I/O 電流采樣輸入、最高頻率選擇管腳 2 FB I 系統反饋輸入管腳 3 DEM I/O 消磁檢測、輸出 OVP 檢 查看詳情
04-17 2025
充電器ic U7576滿足快速啟動和低待機應用需求 深圳銀聯寶充電器icU7576通過HV高壓引腳實時檢測交流輸入狀態,市電斷開時觸發內部放電邏輯,集成了輸出欠壓(BOP)與輸入掉電、X電容放電功能,解決了X電容放電電阻引起的待機損耗問題。采用SOP-8封裝,HV引腳集成650V VDMOS,提升了耐壓性能! 充電器icU7576主要特點: 1.集成高壓啟動功能 2.集成 AC 輸入掉電檢測與X電容放電功能 3.可支持斷續模式、連續模式的原邊恒流技術 4.±5%恒流精度;±1%恒壓精度 5.待機功 查看詳情
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