- 05-15 2025
- 45W集成高壓E-GaN快充電源方案U8726AHE+U7269 氮化鎵電源電路由于減少了元件數量和功率轉換器占用的空間而更具吸引力。深圳銀聯寶科技作為E-GaN快充電源方案制造商，大量投入工程研發以應對各類技術挑戰，為市場提供了各種功率級和多種功能的集成解決方案，今天推薦的是銀聯寶45W集成高壓E-GaN快充電源方案U8726AHE+U7269！ 快充電源芯片U8726AHE集成高壓E-Mode GaN FET，為了保障GaN FET工作的可靠性和高系統效率，芯片內置了高精度、高可靠性的驅動電路，驅動電壓為VDRV (典型值6.4V)。E 查看詳情
- 05-14 2025
- 30W E-GaN高頻高性能快充電源ic U8731 GaN器件采用二維電子氣結構，能夠提供更高的電子遷移率和導電性能，因此適用于高頻應用，可以實現更高效的功率轉換。深圳銀聯寶科技研發生產的快充電源icU8731，集成700VE-GaN，高頻高性能，推薦工作頻率130KHz/220KHz，推薦最大輸出功率30W，介紹給小伙伴們！ 快充電源icU8731采用的是HSOP-7封裝，管腳說明如下： 1 CS I/O 電流采樣輸入、最高頻率選擇管腳 2 FB I 系統反饋輸入管腳 3 DEM I/O 消磁檢測、輸出 OVP 檢測、驅動能 查看詳情
- 05-13 2025
- 12V2A/3A氮化鎵電源方案U8607/U8609+同步整流芯片U7613 深圳銀聯寶科技最新上市的氮化鎵電源方案：U8607/U8609+同步整流芯片U7613，推薦輸出功率12V2A、12V3A，非標共板，方案成熟，性能可靠，可滿足更高性能要求、更低成本需求！ 氮化鎵電源芯片U8607/U8609采用原邊反饋控制，可節省光耦和TL431，簡化電源BOM。它合封第三代半導體GaN FET，最高工作頻率130kHz，有利于降低電源尺寸。特征如下： *原邊反饋控制，無需光耦和 TL431 *集成 700V GaN FET 驅動 *集成高壓啟動功能 * 查看詳情
- 05-12 2025
- 33W全負載高效率超結硅電源管理方案：U8623+U7612B 由于芯片結構的改變，超結MOS的結電容比傳統MOS有很大的降低，超結MOS具有極低的內阻，在相同的芯片面積下，超結MOS芯片的內阻甚至只有傳統MOS的一半以上。較低的內阻，能降低損耗，減少發熱。今天深圳銀聯寶科技帶來的是33W全負載高效率超結硅電源管理方案：U8623+U7612B，可顯著提升產品的易用性和效率！ 電源管理芯片U8623是一款恒壓、恒功率、恒溫離線型電流模式PWM 電源管理芯片，內置0.85Ω/650V的超結硅功率 MOS。U8623具有全負載高效率、低空載 查看詳情
- 05-09 2025
- 氮化鎵PD快充芯片U8733集成恒功率與主動降功率多控制功能 芯片恒功率控制，意味著無論負載變化如何，系統都能保持恒定的輸出功率，確保設備在各種工作條件下都能穩定運行。當檢測到系統溫度過高時，主動降功率功能會啟動，以降低系統溫度，防止過熱。深圳銀聯寶科技的氮化鎵PD快充芯片U8733，就集成了恒功率控制和主動降功率控制功能，一起來看看！ 氮化鎵PD快充芯片U8733集成恒功率控制與主動降功率控制功能，在恒功率區間，通過控制輸出電流隨輸出電壓變化，實現恒功率功能。外置溫度檢測環境溫度，當溫度過高主動降功率以降低系統溫度，保證系統穩定 查看詳情
- 05-08 2025
- ESOP-10W封裝輸入欠壓保護氮化鎵快充芯片U8766 在65W氮化鎵快充設計中，輸入欠壓保護與過壓保護協同工作，保障充電頭在電網波動時仍能穩定輸出，并避免因輸入異常導致次級電路損壞。今天介紹的65W全壓氮化鎵快充芯片U8766，輸入欠壓保護(BOP)，采用ESOP-10W封裝！ 氮化鎵快充芯片U8766通過HV管腳對母線電壓進行采樣，當母線電壓值小于BOP保護閾值VBOP (典型值 100V)時，芯片內部的BOP延遲計時使能，計時時間為TBOP_DELAY(典型值 80ms)，計時結束后觸發BOP保護。如果母線電壓超過BOP恢復 查看詳情
- 05-08 2025
- 30~65W快充應用CCM同步整流芯片U7106 同步整流芯片U7106采用PDFN5*6封裝，是一款高頻率、高性能、CCM 同步整流開關，典型應用于30~65W快充，無需輔助繞組供電可穩定工作，可以在GaN系統中替代肖特基整流二極管以提高系統效率。 同步整流芯片U7106電路設計參考如下： 1. 副邊主功率回路 Loop1 的面積盡可能小。 2. VDD 電容推薦使用 1μF 的貼片陶瓷電容，盡量緊靠 IC，Loop2的面積盡可能小。 3. HV 到Drain建議串聯30~200Ω的電阻，推薦典型值100Ω。HV連接到D 查看詳情
- 05-07 2025
- PD 20W氮化鎵單電壓應用方案：U8722AH+U7715 深圳銀聯寶科技推出的PD20W氮化鎵單電壓應用方案，主控芯片使用的是氮化鎵快充芯片U8722AH，同步整流芯片U7715，協議338E。輸入規格：180V-264V 50Hz，輸出規格：C口，PD20W：5V3A / 9V2.22A / 12V1.67A。 氮化鎵快充芯片U8722AH特點： 1.集成 700V E-GaN 2.集成高壓啟動功能 3.超低啟動和工作電流，待機功耗 30mW 4.谷底鎖定模式， 最高工作頻率兩檔可調(220kHz，130kHz) 5.集 查看詳情
- 05-06 2025
- 帶恒功率集成高壓E-GaN氮化鎵電源IC U8723AHS 恒功率電源芯片具有穩壓、高效、過載保護等特性，適用于一些功率要求嚴格的應用場景，如充電器、LED驅動器、電動工具等。今天推薦的深圳銀聯寶帶恒功率集成高壓E-GaN氮化鎵電源ICU8723AHS，不僅可以提高電路的穩定性和可靠性，同時也可以提高能源利用效率，使優勢發揮到最大！ 針對寬輸出電壓應用場合，為了滿足VDD的寬電壓應用需求，往往需要添加額外的電路或者輔助繞組，導致系統功耗和電路成本的增加。氮化鎵電源ICU8723AHS集成了Boost供電技術，僅在SW管腳添加一顆貼片電 查看詳情
- 04-29 2025
- SOP-7封裝20W氮化鎵快充芯片U8722SP來咯！ 深圳銀聯寶氮化鎵系列又雙叒叕上“芯”料啦——U8722SP！氮化鎵快充芯片U8722SP采用SOP-7封裝，推薦最大輸出功率20W，集成MOS耐壓700V，典型應用于快速充電器和適配器上，腳位如下： 1 GND P 芯片參考地 2 CS I/O 電流采樣輸入、最高頻率選擇管腳 3 FB I 系統反饋輸入管腳 4 DEM I/O 消磁檢測、輸出 OVP 檢測、驅動能力分檔判定管腳 5 SW P Boost 電路內置 MOS 的漏極 查看詳情
電 話：133-1680-5165 Q Q：1957650001
傳 真：0755-23086550 郵 箱：001@elanpo.com
地址：廣東省深圳市寶安區寶安大道4018號華豐國際商務大廈2501-2508
銀聯寶手機
招賢納士
