最近幾年，功率MOSFET的性能得到了顯著提高，而這類器件的價格降低很快。由于MOSFET的開態電阻變得很低，在許多低輸出電壓應用電路里都利用了同步整流技術。同步整流芯片U7710 &U7711就是一款用于替代Flyback副邊肖特基二極管的高性能同步整流開關，內置超低導通阻抗功率MOSFET以提升系統效率。

同步整流芯片U7710 &U7711 支持“浮地”和“共地”同步整流兩種架構，也支持系統斷續工作模式(DCM) 和準諧振工作模式(QR)。芯片集成有VDD 欠壓保護功能和VDD電壓鉗位。芯片內置VDD 高壓供電模塊，無需VDD輔助繞組供電，減低了系統成本。

在原邊MOSFET導通期間，同步整流芯片U7710 &U7711內部7.1V穩壓器將從其Drain管腳抽取電流向VDD 供電，以使VDD 電壓恒定在7.1V左右。基于高頻解耦和供電考慮，推薦選取容量為1uF的陶瓷電容作為VDD電容。

系統開機以后，同步整流芯片U7710 &U7711內部高壓LDO從Drain管腳抽取電流向VDD電容供電。當VDD電壓低于欠壓保護閾值后（3.1V 典型值），芯片進入睡眠模式，同時內部同步整流MOSFET進入關斷狀態，副邊繞組電流經內部同步整流MOSFET的體二極管實現續流。當VDD電壓高于VDD開啟電壓后（4V典型值），芯片開始工作。芯片內部同步整流MOSFET只在副邊續流期間才能開通。

在內部同步整流 MOSFET 開通瞬間，同步整流芯片U7710 &U7711漏-源(Drain-Source)之間會產生電壓尖峰。為避免此類電壓尖峰干擾系統正常工作導致芯片誤動作，芯片內部集成有前沿消隱電路(LEB)。在LEB時間（約1us）內，關斷比較器被屏蔽，無法關斷內部同步整流MOSFET，直至消隱時間結束。

同步整流電源能夠在很大程度上降低功耗和提高效率。在相同的機架內，先進的同步整流電源的功率是傳統非同步電源功率的兩倍。深圳銀聯寶科技的同步整流芯片U7710 &U7711能夠極大地幫助瞬態負載調節，擁有更加穩定的控制環路特性！