隨著開關電源芯片用量越來越多，技術方面也日趨成熟。同時隨著對成本要求越來越高，技術質量和價格的平衡需要滿足。如何尋找低成本、高效率的開關電源芯片？不妨來看看深圳銀聯寶科技的這顆開關電源芯片U6113！

開關電源芯片U6113在同一塊晶元上同時集成了高壓功率MOSFET和控制器。U6113內部高度集成的高精度恒流控制電路和完備的保護功能使其適用于LED照明的應用中，是帶有準諧振式的降壓型功率開關器。在40V LED輸出電壓下，175~265VAC：120mA、85~265VAC：100mA；在60V LED輸出電壓下：175~265VAC：100mA、85~265VAC：90mA。

▲5.8V 穩壓器

在開關電源芯片U6113芯片內部，只要當內部高壓MOSFET關斷時，5.8V的穩壓器就會從芯片的Drain管腳端抽取一定的電流給VDD電容充電至5.8V；再當內部高壓MOSFET導通的時候，5.8V穩壓器則停止工作而芯片靠VDD電容提供供電以正常運行。由于芯片的工作電流超低，所以利用從芯片Drain管腳抽取的電流足以使其連續穩定地工作。通常情況下，建議使用1uF的VDD電容用以濾除高頻噪聲和作為芯片供電。

▲電流過零檢測（無需輔助繞組）

為了保證系統工作在準諧振模式下，開關電源芯片U6113利用檢測流經內部高壓MOSFET漏極和門極間寄生的米勒電容Crss的電流實現電流過零點的檢測。當電感電流續流到零后，電感和高壓MOSFET的輸出電容開始諧振過程。此過程中MOSFET的Drain端電壓開始下降 ，同時會有一由地到MOSFET Drain端的負向電流流經Crss電容。反之，當MOFET關斷Drain端電壓上升時，會有一正向電流流經Crss電容。

▲逐周期電流限制和前沿消隱

開關電源芯片U6113 CS管腳作為芯片的參考地，同時也用來檢測電感電流峰值。當MOSFET 導通時，VDD管腳和CS管腳之間的差分電壓開始下降，當此差分電壓大于峰值電流基準 500mV時MOSFET關斷。為了避免MOSFET導通瞬間的噪聲引起錯誤檢測，芯片設計有典型值為500ns的前沿消隱時間，在此時間內逐周期電流限制比較器停止工作且MOSFET不允許關斷。

開關電源芯片U6113設計的軟驅動結構的驅動電路優化了系統的EMI性能，工作電流典型值為140uA。如此低的工作電流降低了對于VDD電容大小的要求，同時也可以幫助系統獲得更高的效率。可靠的性能，加上低成本，是一顆值得考慮的優質開關電源芯片！