高功率密度PD快充芯片U8722SP快速安全散熱好
日常生活和工作的需要,讓大家都希望在盡量短的時(shí)間內(nèi)給自己的手機(jī)充得足夠的電量。快充芯片的任務(wù),就是把適配器的電壓轉(zhuǎn)換成電池的電壓,同時(shí)按照需要的充電電流精確可控地向電池進(jìn)行充電。下面介紹一款很好的快充芯片方案主控芯片,銀聯(lián)寶PD快充芯片U8722SP!
PD快充芯片U8722SP引腳定義:
1 GND P 芯片參考地
2 CS I/O 電流采樣輸入、最高頻率選擇管腳
3 FB I 系統(tǒng)反饋輸入管腳
4 DEM I/O 消磁檢測(cè)、輸出 OVP 檢測(cè)、驅(qū)動(dòng)能力分檔判定管腳
5 SW P Boost 電路內(nèi)置 MOS 的漏極管腳
6 VDD P 芯片供電管腳
7 NC /
8 DRAIN P 內(nèi)置高壓 GaN FET 漏極、高壓?jiǎn)?dòng)供電管腳
PD快充芯片U8722SP的工作頻率最高可達(dá) 220kHz,可全范圍工作在準(zhǔn)諧振模式。芯片集成峰值電流抖動(dòng)功能和驅(qū)動(dòng)電流配置功能,可極大的優(yōu)化系統(tǒng)EMI性能。芯片內(nèi)置Boost供電電路,非常適用于寬輸出電壓的應(yīng)用場(chǎng)景。
PD快充芯片U8722SP特性:
1. 集成高壓E-GaN
2. 集成高壓?jiǎn)?dòng)功能
3. 超低啟動(dòng)和工作電流,待機(jī)功耗<30mW
4. 谷底鎖定模式,最高工作頻率兩檔可調(diào)(220kHz,130kHz)
5. 集成EMI優(yōu)化技術(shù)
6. 驅(qū)動(dòng)電流分檔配置
7. 集成Boost供電電路
8. 集成完備的保護(hù)功能:VDD過壓/欠壓保護(hù)(VDD OVP/UVLO)、輸出過壓保護(hù)(OVP)、輸出欠壓保護(hù)(DEM UVP)、輸入過壓保護(hù)(LOVP)、輸入欠壓保護(hù)(BOP)、片內(nèi)過熱保護(hù)(OTP)、逐周期電流限制(OCP)、異常過流保護(hù)(AOCP)、短路保護(hù)(SCP)、過載保護(hù)(OLP)、前沿消隱(LEB)、CS管腳開路保護(hù)
9. 封裝類型SOP-8
手機(jī)充電不僅要求快速安全,還需要發(fā)熱較低,對(duì)快充芯片的要求自然就是高轉(zhuǎn)換效率、散熱好。深圳銀聯(lián)寶PD快充芯片方案通過降低適配器的輸出電壓,在恒流充電階段使其與電池電壓保持足夠小的同步壓差跟蹤,以此提高充電電流,并同時(shí)提高轉(zhuǎn)換效率!
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