氮化鎵快充芯片U8722SP封裝形式升級調(diào)整為SOP-8，集成完備的保護功能：VDD過壓/欠壓保護(VDD OVP/UVLO)、輸出過壓保護(OVP)、輸出欠壓保護(DEM UVP)、輸入過壓保護(LOVP)、輸入欠壓保護(BOP)、片內(nèi)過熱保護(OTP)、逐周期電流限制(OCP)、異常過流保護(AOCP)、短路保護(SCP)、過載保護(OLP)、前沿消隱(LEB)、CS管腳開路保護等。

氮化鎵快充芯片U8722SP管腳說明：

1 GND P 芯片參考地

2 CS I/O 電流采樣輸入、最高頻率選擇管腳

3 FB I 系統(tǒng)反饋輸入管腳

4 DEM I/O 消磁檢測、輸出 OVP 檢測、驅(qū)動能力分檔判定管腳

5 SW P Boost 電路內(nèi)置 MOS 的漏極管腳

6 VDD P 芯片供電管腳

7 NC /

8 DRAIN P 內(nèi)置高壓 GaN FET 漏極、高壓啟動供電管腳

氮化鎵快充芯片U8722SP集成高壓E-Mode GaN FET，為了保障GaN FET工作的可靠性和高系統(tǒng)效率，芯片內(nèi)置了高精度、高可靠性的驅(qū)動電路，驅(qū)動電壓為VDRV (典型值 6.4V)。EMI性能為高頻交直流轉(zhuǎn)換器的設(shè)計難點，為此U8722SP通過DEM管腳集成了驅(qū)動電流分檔配置功能。如圖所示，通過配置DEM管腳分壓電阻值，可以選擇不同檔位的驅(qū)動電流，進而調(diào)節(jié)GaN FET的開通速度，系統(tǒng)設(shè)計者可以獲得最優(yōu)的EMI性能和系統(tǒng)效率的平衡。具體分壓電阻值可參照參數(shù)表。

氮化鎵快充芯片U8722SP系列還集成輕載SR應(yīng)力優(yōu)化功能，在驅(qū)動電流配置為第一、第二、第三檔位時，當(dāng)芯片工作于輕載模式時，將原邊開通速度減半，減小空載時SR的Vds應(yīng)力過沖。U8722SP+同步整流芯片-U7715A+協(xié)議XPD317單壓認證款氮化鎵電源應(yīng)用方案，正火熱上市中，歡迎前來咨詢，索取相關(guān)資料！