有了氮化鎵等新型材料的加持，近兩年很多品牌都上線了各種氮化鎵快充充電器。氮化鎵充電器不但可以提高設(shè)備的充電效率，而且在體積、散熱等方面也有十分不錯的表現(xiàn)，加上技術(shù)的不斷完善和升級，氮化鎵充電器價格也不斷下探。30W氮化鎵快充芯片U8722CAS成本低、質(zhì)量好，可以幫你緩解充電器成本焦慮。

30W氮化鎵快充芯片U8722CAS集成高壓E-Mode GaN FET，為了保障GaN FET工作的可靠性和高系統(tǒng)效率，芯片內(nèi)置了高精度、高可靠性的驅(qū)動電路，驅(qū)動電壓為VDRV(典型值 6.2V)。EMI性能為高頻交直流轉(zhuǎn)換器的設(shè)計難點(diǎn)，為此U8722CAS通過DEM管腳集成了驅(qū)動電流分檔配置功能。如下圖所示，通過配置DEM管腳分壓電阻值，可以選擇不同檔位的驅(qū)動電流，進(jìn)而調(diào)節(jié)GaN FET的開通速度，系統(tǒng)設(shè)計者可以獲得最優(yōu)的EMI性能和系統(tǒng)效率的平衡。具體分壓電阻值可參照參數(shù)表。U8722CA系列還集成輕載SR應(yīng)力優(yōu)化功能，在驅(qū)動電流配置為第一、第二、第三檔位時，當(dāng)芯片工作于輕載模式時，將原邊開通速度減半，減小空載時SR的Vds應(yīng)力過沖。

30W氮化鎵快充芯片U8722CAS采用峰值電流控制模式，可以自適應(yīng)的工作在QR和降頻工作模式，從而實(shí)現(xiàn)全負(fù)載功率范圍內(nèi)的效率優(yōu)化。在滿載和重載工況下，系統(tǒng)工作在QR工作模式，可以大幅降低系統(tǒng)的開關(guān)損耗。芯片根據(jù)FB電壓值調(diào)節(jié)谷底個數(shù)，同時為了避免系統(tǒng)在臨界負(fù)載處的FB電壓波動導(dǎo)致谷底數(shù)跳變，產(chǎn)生噪音，U8722CAS采用了谷底鎖定工作模式在負(fù)載一定的情況下，導(dǎo)通谷底數(shù)穩(wěn)定，系統(tǒng)無噪音。隨著負(fù)載的逐漸降低，系統(tǒng)導(dǎo)通的谷底個數(shù)逐漸增加，當(dāng)谷底數(shù)超過6個時，不再檢測谷底電壓，系統(tǒng)進(jìn)入降頻工作模式，通過進(jìn)一步降低開關(guān)頻率，減小開關(guān)損耗，優(yōu)化系統(tǒng)輕載效率。

30W氮化鎵快充芯片U8722CAS是一款集成E-GaN的高頻高性能準(zhǔn)諧振模式交直流轉(zhuǎn)換功率開關(guān)。芯片集成高壓啟動電路，可獲得快速啟動功能和超低的工作電流，實(shí)現(xiàn)小于30mW的超低待機(jī)功耗。U8722CAS的工作頻率最高可達(dá)220kHz，可全范圍工作在準(zhǔn)諧振模式。芯片集成峰值電流抖動功能和驅(qū)動電流配置功能，可極大的優(yōu)化系統(tǒng)EMI性能。芯片內(nèi)置Boost供電電路，非常適用于寬輸出電壓的應(yīng)用場景！