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原邊5W開關電源芯片 SF6072
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原邊反饋/內置三極管
“多模式PSR”控制提高可靠性和效率
支持高50V輸出電壓
?內置專利的線損電壓補償，提高量產精度
自動補償輸入電壓、電感感量變化，實現高精度
內置軟啟動，啟動電流，管腳浮空保護
逐周期電流限制，內置前沿消隱
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原邊5W開關電源芯片 SF6010N
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原邊反饋/外驅三極管
支持高50V輸出電壓
內置專利的線損電壓補償，提高量產精度
自動補償輸入電壓、電感感量變化，實現高精度
內置軟啟動，啟動電流，管腳浮空保護
逐周期電流限制，內置前沿消隱
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原邊15W開關電源芯片 SF5928S
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專利的“NC-Cap/PSR-II?”控制技術
“多模式PSR”控制提高可靠性和效率
小于±5%恒壓恒流高精度
原邊反饋（PSR）控制，無需光耦和TL431
內置專利的線損電壓補償
自動補償輸入電壓、電感感量變化，實現高精度
內置軟啟動，啟動電流，管腳浮空保護
原邊反饋/內置MOSFET,輸出過壓保護
逐周期電流限制，內置前沿消隱
VDD欠壓保護（UVLO），過壓保護及鉗位
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原邊9W開關電源芯片 SF5926S
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專利的“NC-Cap/PSR-II?”控制技術
“多模式PSR”控制提高可靠性和效率
小于±5%恒壓恒流高精度
原邊反饋（PSR）控制，無需光耦和TL431
內置專利的線損電壓補償
自動補償輸入電壓、電感感量變化，實現高精度
內置軟啟動，啟動電流，管腳浮空保護
原邊反饋/內置MOSFET,輸出過壓保護
逐周期電流限制，內置前沿消隱
VDD欠壓保護（UVLO），過壓保護及鉗位
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原邊6W開關電源芯片 SF5922S
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專利的“NC-Cap/PSR-II?”控制技術
“多模式PSR”控制提高可靠性和效率
小于±5%恒壓恒流高精度
原邊反饋（PSR）控制，無需光耦和TL431
內置專利的線損電壓補償
自動補償輸入電壓、電感感量變化，實現高精度
內置軟啟動，啟動電流，管腳浮空保護
原邊反饋/內置MOSFET,輸出過壓保護
逐周期電流限制，內置前沿消隱
VDD欠壓保護（UVLO），過壓保護及鉗位
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副邊25W開關電源芯片 SF5930
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專利的“NC-Cap/PSR-II?”控制技術
“多模式PSR”控制提高可靠性和效率
±5%恒壓恒流精度
快速動態響應，大小減小輸出紋波
支持輸出電壓大小50V
原邊反饋（PSR）控制，無需光耦和TL431
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副邊25W開關電源芯片 SF5920
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專利的“NC-Cap/PSR-II?”控制技術
“多模式PSR”控制提高可靠性和效率
±5%恒壓恒流精度
快速動態響應，大小減小輸出紋波
支持輸出電壓大小50V
原邊反饋（PSR）控制，無需光耦和TL431
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原邊10W開關電源芯片 U6117SA
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原邊反饋/內置MOSFET
效率滿足六級能效要求
低待機功耗小于70mW
內置600V 功率MOSFET
QR-PSR控制提高工作效率
±4％恒壓恒流精度，多模式PSR控制
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原邊25W開關電源芯片 SF6771T
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原邊反饋/外置MOSFET
效率滿足六級能效要求
優化降頻技術提率
零OCP恢復間隙控制避免低壓啟動失敗
內置頻率抖動EMI
內置同步斜率補償. 逐周期電流限制, 內置前沿消隱
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原邊6W開關電源芯片 U6117S
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效率滿足六級能效要求
低待機功耗小于70mW
內置600V 功率MOSFET
QR-PSR控制提高工作效率
±4％恒壓恒流精度，多模式PSR控制
內置快速動態響應控制，無異音工作
內置可編程線損電壓補償
自動補償輸入電壓.電感感量變化,實現高精度
原邊反饋/內置MOSFET,內置短路保護
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原邊12W開關電源芯片 U6315
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QR-PSR控制提高工作效率。
±4% 的恒流恒壓精度,PSR控制模式。
系統效率滿足 ‘DoE六級能效’ Tier2 要求,待機＜70mW。
原邊反饋/內置三極管,內置專利的線損電壓補償。
內置軟啟動，啟動電流，管腳浮空保護。
VDD欠壓保護，VDD過壓保護及鉗位。
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原邊6W開關電源芯片 U6215
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效率滿足六級能效要求
內置700V 功率三極管
QR-PSR控制提高工作效率
±4％恒壓恒流精度，多模式PSR控制
內置可編程線損電壓補償
自動補償輸入電壓.電感感量變化,實現高精度
原邊反饋/內置三極管,內置短路保護
逐周期電流限制, 內置前沿消隱
OTP過溫保護
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原邊5W開關電源芯片 SF6022
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效率滿足六級能效要求
原邊反饋/內置反饋腳(FB)短路保護
±4％恒壓恒流精度，支持高50V 輸出電壓
內置快速動態響應控制，無異音工作，
內置專利的線損電壓補償，提高量產精度
自動補償輸入電壓.電感感量變化,實現高精度
內置軟啟動,啟動電流,管腳浮空保護
逐周期電流限制, 內置前沿消隱
多模式PSR 控制提高可靠性和效率
零電壓帶載啟動減小OCP恢復間隙
VDD欠壓保護（UVLO）,過壓保護及鉗位
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原邊15W開關電源芯片 SF5938S
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效率滿足六級能效要求
原邊反饋/內置600V 功率MOSFET
內置反饋腳(FB)短路保護
內置專利的線損補償,提高量產精度
內置快速動態響應控制
自動補償輸入電壓.電感感量變化,實現高精度
內置軟啟動,啟動電流,管腳浮空保護
逐周期電流限制, 內置前沿消隱
支持高50V 輸出電壓
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原邊13W開關電源芯片 SF6773V
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效率滿足六級能效要求
原邊反饋/內置650V 功率MOSFET
自動補償輸入電壓.電感感量變化,實現高精度
多模式PSR 控制提高可靠性和效率
內置軟啟動，啟動電流，管腳浮空保護
- [公司新聞]充電器、適配器能效管理推薦——快充電源芯片U86092025年08月07日 15:02
- 發電、輸電、儲電和用電的各個環節需要更智能、更高效的能源管理，才能更好實現降低能源消耗、低碳化的愿景。功率半導體技術則是這一鏈條各環節的核心所在。GaN技術的一個典型應用是，提升智能手機和筆記本電腦的充電器效率和功率密度。在GaN FET驅動市場，有這么一顆廣受關注的快充電源芯片U8609，推薦給各位小伙伴！ 快充電源芯片U8609是一款集成E-GaN的恒壓恒流PSR反激功率開關管，可為18~65W適配器應用提供全新的解決方案。U8609采用原邊反饋控制，可節省光耦和TL43
- 閱讀（8） 標簽：
- [公司新聞]24W安防監控交流適配器電源管理芯片U86072025年07月21日 15:18
- 暑假期間，家用攝像頭產品又成了爆款，低功耗攝像頭的增長幅度更是驚人。目前市面超80%的監控攝像頭采用12V直流供電，典型功率覆蓋5W-30W。深圳銀聯寶科技的U8607就是一顆典型的交流適配器電源管理芯片，推薦24W應用！ 電源管理芯片U8607是一款集成E-GaN的恒壓恒流PSR反激功率開關管，可為18~65W適配器應用提供全新的解決方案。U8607采用原邊反饋控制，可節省光耦和TL431，簡化電源BOM。它合封第三代半導體GaN FET，最高工作頻率130kHz，有利于
- 閱讀（21） 標簽：
- [公司新聞]PD快充電源ic U8608啟動極速充電 開啟快節奏2025年07月08日 10:37
- PD快充適用于各種需要快速充電的設備，尤其是那些功率要求高的移動設備。筆記本電腦通常需要更高的充電功率來維持快速充電，而PD快充能夠提供足夠的功率。帶E-GaN的PD快充電源ic更能大大縮短充電時間！今天推薦適用于交流適配器的深圳銀聯寶PD快充電源icU8608，可以幫助設備更快充電，提高工作效率！ PD快充電源icU8608是一款集成E-GaN的恒壓恒流PSR反激功率開關管，可為18~65W適配器應用提供全新的解決方案。U8608采用原邊反饋控制，可節省光耦和TL431，
- 閱讀（7） 標簽：
- [公司新聞]12v3a原邊反饋快充電源ic U8609節省光耦和TL4312025年05月29日 14:48
- GaN FET支持MHz級開關頻率，顯著高于傳統硅基器件，通過減小無源元件體積實現系統小型化，使開關損耗降低20%-30%。深圳銀聯寶快充電源icU8609合封第三代半導體GaN FET，最高工作頻率130kHz，采用原邊反饋控制，可節省光耦和TL431，簡化電源BOM，有利于降低電源尺寸！ 快充電源icU8609是一款集成E-GaN的恒壓恒流PSR反激功率開關管，可為18~65W適配器應用提供全新的解決方案。U8609集成谷底鎖定技術可以防止頻率抖動產生噪音。它采用CS
- 閱讀（12） 標簽：
- [公司新聞]12V2A/3A氮化鎵電源方案U8607/U8609+同步整流芯片U76132025年05月13日 10:54
- 深圳銀聯寶科技最新上市的氮化鎵電源方案：U8607/U8609+同步整流芯片U7613，推薦輸出功率12V2A、12V3A，非標共板，方案成熟，性能可靠，可滿足更高性能要求、更低成本需求！ 氮化鎵電源芯片U8607/U8609采用原邊反饋控制，可節省光耦和TL431，簡化電源BOM。它合封第三代半導體GaN FET，最高工作頻率130kHz，有利于降低電源尺寸。特征如下： *原邊反饋控制，無需光耦和 TL431 *集成 700V GaN FET 驅動 *集成高壓啟動功能 *
- 閱讀（12） 標簽：
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