- [公司新聞]PD快充芯片U8608凸顯高功率密度優(yōu)勢(shì)2024年12月19日 10:26
- 氮化鎵芯片具備令人矚目的高功率密度特性，這意味著它可以在相對(duì)較小的尺寸上輸出更大的功率。在當(dāng)下眾多需要小型化且高功率輸出的場(chǎng)景中，其價(jià)值尤為凸顯。PD快充芯片U8608是一款集成E-GaN的恒壓恒流PSR反激功率開(kāi)關(guān)管，可為18~65W適配器應(yīng)用提供全新的解決方案。 PD快充芯片U8608采用原邊反饋控制，可節(jié)省光耦和TL431，簡(jiǎn)化電源BOM。它合封第三代半導(dǎo)體GaN FET，最高工作頻率130kHz，有利于降低電源尺寸。集成谷底鎖定技術(shù)可以防止頻率抖動(dòng)產(chǎn)生噪音。它采用CS
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