一般開關電源芯片IC工作在非常靠近特性參數限值時，其重要的寄生參數不能忽略，而且還需要考慮溫度變化因素。因為溫度變化將影響效率，從而影響所需的占空比。

溫度對開關電源效率的影響也是很難預期估計的，因此溫度變化對占空比的影響也很難估計。溫度升高使有些損耗升高，而有些損耗降低。然而保守估算中，少應考慮溫度升高時對MOSFET管導通壓降的影響。低壓MOSFET（額定值約為30V），當開關管溫度從室溫到發熱時，RDS(導通阻抗）一般將會增加30%~50%，故一般將室溫下的導通阻抗乘以1.4便可得到發熱時的導通阻抗。而通常用于離線式開關電源的高壓MOSFET中，RDS增加達到80%~100%。所以在求取發熱時的導通阻抗時，應乘以系數1.8。

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