好消息！深圳銀聯寶科技氮化鎵電源芯片U872XAHE系列，規格書升級，新增料號U8727AHE，封裝形式ESOP-7，集成MOS耐壓700V，推薦最大輸出功率100W！

氮化鎵電源芯片U8727AHE特性：

&集成高壓E-GaN

&集成高壓啟動功能

&超低啟動和工作電流，待機功耗<30mW

&谷底鎖定模式，最高工作頻率兩檔可調(220kHz，130kHz)

&集成EMI優化技術

&驅動電流分檔配置

&集成Boost供電電路

&集成完備的保護功能：

VDD過壓/欠壓保護(VDD OVP/UVLO)

輸出過壓/欠壓保護(DEM OVP/UVP)

輸入過壓/欠壓保護(LOVP /BOP)

片內過熱保護(OTP)

逐周期電流限制(OCP)

異常過流保護(AOCP)

短路保護(SCP)

過載保護(OLP)

前沿消隱(LEB)

CS管腳開路保護

&封裝類型ESOP-7

氮化鎵電源芯片U8727AHE集成高壓E-Mode GaN FET，為了保障GaN FET工作的可靠性和高系統效率，芯片內置了高精度、高可靠性的驅動電路，驅動電壓為VDRV (典型值6.4V)。EMI性能為高頻交直流轉換器的設計難點，為此U8727AHE通過DEM管腳集成了驅動電流分檔配置功能。如圖所示，通過配置DEM管腳分壓電阻值，可以選擇不同檔位的驅動電流，進而調節GaN FET的開通速度，系統設計者可以獲得最優的EMI性能和系統效率的平衡。具體分壓電阻值可參照參數表。

氮化鎵電源芯片U8727AHE系列還集成輕載SR應力優化功能，在驅動電流配置為第一、第二、第三檔位時，當芯片工作于輕載模式時，將原邊開通速度減半，減小空載時SR的Vds應力過沖。

氮化鎵電源芯片U8727AHE管腳：

1 CS I/O 電流采樣輸入、最高頻率選擇管腳

2 FB I 系統反饋輸入管腳

3 DEM I/O 消磁檢測、輸出 OVP 檢測、驅動能力分檔判定管腳

4 VDD P 芯片供電管腳

5 SW P Boost 電路內置 MOS 的漏極管腳

6 GND P 芯片參考地

7 DRAIN P 內置高壓 GaN FET 漏極、高壓啟動供電管腳