U7712同步整流芯片典型輸出5v3A，是一款用于替代Flyback副邊肖特基二極管的高性能同步整流開關，內置超低導通阻抗功率MOSFET以提升系統(tǒng)效率。<300uA 超低靜態(tài)電流，內置40V功率MOSFET，性能優(yōu)越，表現(xiàn)卓越！

一、7.1V 穩(wěn)壓器：在原邊MOSFET導通期間，U7712同步整流芯片內部7.1V穩(wěn)壓器將從其Drain管腳抽取電流向VDD供電，以使VDD電壓恒定在7.1V左右。基于高頻解耦和供電考慮，推薦選取容量為1uF的陶瓷電容作為VDD電容。

二、系統(tǒng)啟動：系統(tǒng)開機以后，U7712同步整流芯片內部高壓LDO從Drain管腳抽取電流向VDD電容供電。當VDD電壓低于欠壓保護閾值后（3.1V 典型值），芯片進入睡眠模式，同時內部同步整流MOSFET進入關斷狀態(tài)，副邊繞組電流經內部同步整流MOSFET的體二極管實現(xiàn)續(xù)流。當VDD電壓高于VDD開啟電壓后（4V 典型值），芯片開始工作。芯片內部同步整流MOSFET只在副邊續(xù)流期間才能開通。

三、開通階段：初始階段同步整流MOSFET處于關閉狀態(tài)，副邊電流經MOSFET體二極管實現(xiàn)續(xù)流，同時在體二極管兩端形成一負向Vds電壓 (<-500mV)。該負向Vds電壓遠小于U7712同步整流芯片內部MOSFET開啟檢測閾值，故經過開通延遲（Td_on，約 200ns）后內部MOSFET開通。

四、關斷階段：在同步整流MOSFET導通期間，U7712同步整流芯片采樣MOSFET漏-源兩端電壓(Vds)。當Vds電壓高于MOSFET關斷閾值，內部MOSFET將在關斷延遲（Td_off，約 60ns）后被關斷。

五、前沿消隱 (LEB)：在內部同步整流MOSFET開通瞬間，U7712同步整流芯片漏-源(Drain-Source)之間會產生電壓尖峰。為避免此類電壓尖峰干擾系統(tǒng)正常工作導致芯片誤動作，芯片內部集成有前沿消隱電路 (LEB)。在LEB時間（約 1us）內，關斷比較器被屏蔽，無法關斷內部同步整流MOSFET，直至消隱時間結束。

U7712同步整流芯片支持“浮地”和“共地”同步整流兩種架構，也支持系統(tǒng)斷續(xù)工作模式(DCM)和準諧振工作模式(QR)。U7712集成有VDD欠壓保護功能和VDD電壓鉗位。U7712內置VDD高壓供電模塊，無需VDD輔助繞組供電，減低了系統(tǒng)成本。