同步整流ic的開通關斷機制核心依賴于漏源電壓的精確檢測，以實現高效整流并避免共通故障等風險。其電壓關系具體體現在開通和關斷閾值的設計上，確保MOSFET在適當時機導通或截止，從而取代傳統二極管以降低損耗。

同步整流icU7606是一款高頻率、高性能、CCM同步整流開關，可以在GaN系統中替代肖特基整流二極管以提高系統效率。U7606內部集成有智能開通檢測功能，可以有效防止反激電路中由于寄生參數振蕩引起的同步整流開關誤開通，提高了系統效率及可靠性。

變壓器副邊續流階段開始時，同步整流內置MOSFET的溝道處于關閉狀態，副邊電流Is經MOSFET體二極管實現續流，同時在體二極管兩端形成一負向Vds電壓(<-500mV)。當負向Vds電壓小于同步整流icU7606內置MOSFET開啟檢測閾值Vth_on(典型值-140mV)，經過開通延遲Td_on (典型值20ns)，內置MOSFET的溝道開通。

在同步整流內置MOSFET導通期間，同步整流ic U7606采樣MOSFET漏-源兩端電壓(Vds)。當Vds電壓高于MOSFET關斷閾值Vth_off(典型值 0mV)，經過關斷延遲Td_off(典型值 15ns)，內置MOSFET的溝道關斷。

PCB設計對同步整流的性能會產生顯著影響，同步整流icU7606設計同步整流電路時建議參考以下的內容。

1、副邊主功率回路 Loop1的面積盡可能小。

2、VDD 電容推薦使用1μF的貼片陶瓷電容，盡量緊靠IC，Loop2的面積盡可能小。

3、R1和C1構成同步整流開關的RC吸收電路，RC吸收回路 Loop3 的面積可能小。

同步整流icU7606通過電壓閾值檢測和智能延時管理來優化性能，同時內置有VDD高壓供電模塊，無需輔助繞組供電可穩定工作，系統上支持High Side和Low Side配置，兼顧了系統性能和成本，以最大化電源轉換效率！