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聚焦手機充電器芯片 U6237D 為環保賦能

2022-08-17 10:15:04 

選購新手機時,要注意參數呢?除了拍照、容量、處理器和售價,屏幕、散熱等參數值得大家關注。至于手機充電器,需要留意的參數肯定少不了充電器芯片。深圳銀聯寶科技的充電器芯片U6237D贏得了手機市場的認可,各項數據表現都十分出色

U6237D應用簡圖

在芯片開始工作之前,充電器芯片U6237D僅消耗典型值為2uA 的啟動電流,超低啟動電流可以幫助增加啟動電阻阻值以達到降低由直流母線流經啟動電阻的電流和待機功耗的目的。當VDD 電壓超過開啟電壓(典型值 16.3V),U6237D 開始工作并且芯片工作電流上升到 1mA(典型值)。之后 VDD 電容持續為芯片供電直至輸出電壓建立后由輔助繞組為芯片供電。

充電器芯片U6237D主要特點

集成 650V MOSFET

支持反激和降壓型拓撲應用

反激原邊控制(SEL 管腳懸空)

準諧振降壓控制 (SEL= GND)

±4% 恒流、恒壓精度

待機功耗<70mW

多模式原邊控制方式

工作無異音

優化的動態響應

可調式線損補償

集成線電壓和負載電壓的恒流補償

集成完善的保護功能:

短路保護 (SLP)

過溫保護 (OTP)

逐周期限流保護 (OCP)

前沿消隱 (LEB)

管腳懸空保護

VDD 過欠壓保護和箝位保護

封裝形式 DIP-8

充電器芯片U6237D典型功率推薦230VAC24W & 85-265VAC18W,支持準諧振降壓型 LED 恒流、恒壓輸出應用,僅需將 SEL 管腳短接到 GND 管腳即可。

1 VDD 芯片供電腳。

2 CS 電流采樣輸入腳。

3 FB系統反饋管腳。輔助繞組電壓經電阻分壓后送至 FB 管腳,用于CV 模式輸出電壓控制及 CC 模式輸出電流控制。

4 GND 芯片參考地。

5-8 Drain 內置功率 MOSFET 漏極。

電子產品的各項參數,最終都是為了讓產品擁有更好的體驗感。選擇深圳銀聯寶科技的充電器芯片,正向升級質量過硬,服務到位節省成本!

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