隨著電子技術(shù)的迅速發(fā)展，以及各種微處理器、IC芯片和數(shù)字信號處理器的普及應(yīng)用，使低電壓大電流輸出變換器的研究成為十分重要的課題之一。在低電壓大電流輸出的情況下，使用一般的二極管整流，整流損耗占了變換器總損耗的一半以上，很難達到高效率。使用同步整流技術(shù)則可以較大地減少整流損耗，從而提高變換器的效率。可以試試銀聯(lián)寶科技隆重推出的負端同步整流ICU7710，可靠且高效！

負端同步整流IC U7710是一款用于替代Flyback副邊肖特基二極管的高性能同步整流開關(guān)，內(nèi)置超低導(dǎo)通阻抗功率MOSFET以提升系統(tǒng)效率。U7710支持“共地”同步整流配置，也支持系統(tǒng)斷續(xù)工作模式(DCM)和準諧振工作模式(QR)。U7710采用輸出直接給VDD供電，不需要輔助繞阻，也不需要VDD電容，降低了系統(tǒng)成本。U7710內(nèi)置智能開通檢測邏輯防止同步整流誤導(dǎo)通。

負端同步整流ICU7710主要特性：

▲反激拓撲副邊同步整流功率開關(guān)

▲支持斷續(xù)工作模式 (DCM) 和準諧振工作模式(QR)

▲<200uA 超低靜態(tài)電流

▲內(nèi)置VDD高壓供電模塊，無需VDD輔助繞組供電

▲內(nèi)置40V功率MOSFET

▲支持 Low Side配置

▲智能開通檢測功能防止誤導(dǎo)通

▲精準的SR MOSFET關(guān)斷控制

▲<20nS開通和關(guān)斷延遲

▲封裝信息 SOP-8

負端同步整流ICU7710內(nèi)部集成智能開通檢測功能,可以有效防止斷續(xù)工作模式(DCM)中由于Vds 振蕩引起的SR誤開通。在內(nèi)部同步整流MOSFET開通瞬間，芯片漏-源(Drain-Source)之間會產(chǎn)生電壓尖峰。為避免此類電壓尖峰干擾系統(tǒng)正常工作導(dǎo)致芯片誤動作，芯片內(nèi)部集成有前沿消隱電路(LEB)。在LEB時間（約 1.12us）內(nèi)，關(guān)斷比較器被屏蔽，無法關(guān)斷內(nèi)部同步整流MOSFET，直至消隱時間結(jié)束。

負端同步整流IC U7710管腳名稱：

1、2、3 GND P IC 參考地，同時也是內(nèi)部功率 MOSFET 的源極

4 VDD P IC 供電腳，

5、6、7、8 Drain I 內(nèi)置功率 MOSFET 漏極

負端同步整流ICU77105V輸出直接給VDD供電，無需輔助繞阻，省略了VDD電容，系統(tǒng)成本降低。典型應(yīng)用于反激變換器、充電器等！