電競手機是游戲玩家心中的“戰(zhàn)場利器”。與普通手機相比，電競手機極致的性能和炫酷燈效，都讓人愛不釋手。盡管有的廠商匹配了雙腰電池，但對電量長續(xù)航要求更為嚴苛的電競手機，更需要一個快速充電器來幫忙。搭載了E-GaN充電器芯片的充電器，正符合此需求！

深圳銀聯(lián)寶E-GaN充電器芯片U8765，是一款集成E-GaN的高頻高性能準諧振模式交直流轉(zhuǎn)換功率開關(guān)。芯片集成高壓啟動電路，可獲得快速啟動功能和超低的工作電流，實現(xiàn)小于30mW的超低待機功耗。U8765的工作頻率最高可達220kHz，可全范圍工作在準諧振模式。芯片集成峰值電流抖動功能和驅(qū)動電流配置功能，可極大的優(yōu)化系統(tǒng)EMI性能。芯片內(nèi)置Boost供電電路，非常適用于寬輸出電壓的應(yīng)用場景。

E-GaN充電器芯片U8765封裝形式ESOP-10W，引腳如下：

1HV P 高壓啟動管腳

2 DRAIN P GaN FET 漏極引腳

3 Source P GaN FET 源極引腳

4 GND P 芯片參考地

5 CS I/O 電流采樣輸入、最高頻率選擇管腳

6 FB I 系統(tǒng)反饋輸入管腳

7 DEM I/O 消磁檢測、輸出 OVP 檢測

8 VDD P 芯片供電管腳

9 SW P Boost 電路內(nèi)置 MOS 的漏極管腳

10 NC -

E-GaN充電器芯片U8765集成了高壓啟動功能。在啟動階段，U8765通過芯片HV腳對VDD充電，當(dāng)VDD電壓達到VVDD_ON(典型值12V)時，高壓供電關(guān)閉。輸出建立后，芯片供電由輔助繞組提供。在啟動過程中，當(dāng)VDD低于3V時，高壓供電電路對VDD電容的充電電流為IHV1(典型值0.5mA)，小電流充電，可以降低VDD引腳對地短路時的芯片功耗。當(dāng)VDD電壓超過3V時，充電電流增加到IHV2 (典型值5mA)，以縮短啟動時間，隨VDD電壓升高，充電電流逐漸減小。當(dāng)VDD電壓降到VVDD_REG (典型值9V)時，高壓供電電路再次開啟，以維持VDD電壓。但是，如果低鉗位供電狀態(tài)持續(xù)時間超過75ms，并且系統(tǒng)工作在非輕載模式時，芯片將觸發(fā)保護。當(dāng)芯片觸發(fā)保護狀態(tài)時，系統(tǒng)停止打驅(qū)動，高壓供電電路開啟，維持VDD電壓在VVDD_REG_ST (典型值12V)。

深圳銀聯(lián)寶充電器芯片U8765，集成E-GaN和驅(qū)動電流分檔功能，谷底鎖定及降頻工作模式，集成有完備的保護功能，快速充電，讓你的手機無論是玩游戲還是看視頻，都能輕松應(yīng)對，暢玩無憂！