發電、輸電、儲電和用電的各個環節需要更智能、更高效的能源管理，才能更好實現降低能源消耗、低碳化的愿景。功率半導體技術則是這一鏈條各環節的核心所在。GaN技術的一個典型應用是，提升智能手機和筆記本電腦的充電器效率和功率密度。在GaN FET驅動市場，有這么一顆廣受關注的快充電源芯片U8609，推薦給各位小伙伴！

快充電源芯片U8609是一款集成E-GaN的恒壓恒流PSR反激功率開關管，可為18~65W適配器應用提供全新的解決方案。U8609采用原邊反饋控制，可節省光耦和TL431，簡化電源BOM。它合封第三代半導體GaN FET，最高工作頻率130kHz，有利于降低電源尺寸。

在手機充電器的應用中，電池與充電器之間一般會通過一定長度的電纜相連，由此也將導致輸送到電池端的電壓產生一定的電壓降。快充電源芯片U8609內置線損補償功能，根據負載的變化調整線損補償量，從而使得線纜輸出端獲得平直的恒壓輸出曲線。線損補償的最大值為輸出電壓的3%。

快充電源芯片U8609主要特征：

●原邊反饋控制，無需光耦和TL431

●集成700V GaN FET驅動

●集成高壓啟動功能

●谷底鎖定QR模式

●最高工作頻率130kHz

●外置環路補償

●驅動電流分檔配置

●內置線損補償

●集成完善的保護功能

●輸出短路保護(FB SLP)

●輸出過壓保護(FB OVP)

●輸入欠壓保護(Line BOP)

●輸入過壓保護(Line OVP)

●過溫保護(OTP)

●VDD過欠壓保護和鉗位保護

●封裝形式 DASOP-7

快充電源芯片U8609采用峰值電流控制模式，可以自適應的工作在QR和降頻工作模式，從而實現全負載功率范圍內的效率優化。在滿載和重載工況下，系統工作在QR工作模式，可以大幅降低系統的開關損耗。芯片根據FB電壓值調節谷底個數，同時為了避免系統在臨界負載處的FB電壓波動導致谷底數跳變，產生噪音，U8609采用了谷底鎖定工作模式，在負載一定的情況下，導通谷底數穩定，系統無噪音。

快充電源芯片U8609搭配同步整流芯片的電源方案，盡可能減少功率轉換環節的損耗，設計簡約化，降低成本，實現更優異的性能指標！