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60V MOSFET PD快充應用同步整流ic U7612B

2024-09-05 10:09:40 

同步整流技術采用導阻更低的MOSFET來替代傳統的肖特基二極管,從而大幅降低了整流電路的損耗。不僅提高了電源的整體效率,還滿足了當今高功率快充技術對于體積方面的嚴苛要求。深圳銀聯寶科技的這一款PD快充應用同步整流icU7612B,帶快速關斷功能,可以替代肖特基整流二極管以提高系統效率。U7612B內置有VDD高壓供電模塊,無需輔助繞組供電可穩定工作,系統上支持High SideLow Side配置,兼顧了系統性能和成本。

同步整流icU7612B主要特點:

內置 60V MOSFET

支持 DCMQR CCM 工作模式

集成高壓供電電路,無需 VDD 輔助繞組供電

支持寬范圍輸出電壓應用,特別適用于支持QCPD 等協議的快充領域

支持 High Side Low Side 配置

<30ns 開通和關斷延時

智能開通檢測功能防止誤開通

智能過零檢測功能

啟動前 Gate 智能鉗位

封裝類型 SOP-8

典型應用:

PD快充應用

適配器

同步整流icU7612B PCB設計建議:

副邊主功率回路Loop1的面積盡可能小。

VDD 電容推薦使用1μF的貼片陶瓷電容,盡量緊靠ICLoop2的面積盡可能小。

HV Drain建議串聯30~200Ω的電阻,推薦典型值100ΩHV檢測點位置對CCM應力有影響,HV檢測點離Drain引腳越遠,CCM應力越小。High Side配置中,建議HV通過R2電阻連接到輸出電容的正端。

R1C1構成同步整流開關的RC吸收電路,RC吸收回路Loop3的面積可能小。

Drain 引腳的PCB散熱面積盡可能大。

SOP-8的封裝框架與Drain引腳電位相同,芯片切筋后,框架金屬有少量暴露,考慮到絕緣要求,外圍元器件應與IC本體保持0.2mm以上的絕緣距離。

同步整流ic U7612B的快速關斷功能可以幫助功率器件獲得較低的電壓應力,可支持斷續工作模式(DCM)、準諧振工作模式(QR)及連續工作模式(CCM)。其內部集成有智能的開通檢測功能,可以有效防止反激電路中寄生參數振蕩引起的同步整流開關誤開通。

同步整流icU7612B有著廣泛應用,通過采用同步整流技術,能夠實現更高效、更穩定的電壓轉換和傳輸,確保充電設備能夠為用戶提供更優質的產品使用體驗!

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