采用氮化鎵技術的充電器，在相同體積和輸出功率下，溫度也會比硅基更低。氮化鎵技術可使功率系統設計者達到更高的利用效率，節約了成本、節省了空間。這些優異的材料特性，也是氮化鎵在充電器市場如此火爆的原因。深圳銀聯寶科技快充芯片U8722AH，是20W氮化鎵快充芯片首選方案！

20W快充芯片U8722AH是一款集成E-GaN的高頻高性能準諧振模式交直流轉換功率開關。芯片集成高壓啟動電路，可獲得快速啟動功能和超低的工作電流，實現小于30mW 的超低待機功耗。

20W快充芯片U8722AH的工作頻率最高可達220kHz，可全范圍工作在準諧振模式。芯片集成峰值電流抖動功能和驅動電流可配置功能，可極大的優化系統EMI性能。芯片內置Boost供電電路，非常適用于寬輸出電壓的應用場景。

20W快充芯片U8722AH主要特點：

*集成 650V E-GaN

*集成高壓啟動功能

*超低啟動和工作電流，待機功耗 <30mW

*谷底鎖定模式， 最高工作頻率兩檔可調(220kHz，130kHz)

*集成 EMI 優化技術

*驅動電流分檔配置

*集成 Boost 供電電路

*集成完備的保護功能：

VDD 過壓/欠壓保護 (VDD OVP/UVLO)

輸出過壓保護 (OVP)

輸入欠壓保護 (BOP)

片內過熱保護 (OTP)

逐周期電流限制 (OCP)

異常過流保護 (AOCP)

短路保護 (SCP)

過載保護 (OLP)

過流保護 (SOCP)

前沿消隱 (LEB)

CS 管腳開路保護

*封裝類型HSOP-7

20W快充芯片U8722AH采用峰值電流控制模式，可以自適應的工作在QR和降頻工作模式，從而實現全負載功率范圍內的效率優化。在滿載和重載工況下，系統工作在QR工作模式，可以大幅降低系統的開關損耗。芯片根據FB電壓值調節谷底個數，同時為了避免系統在臨界負載處的FB電壓波動導致谷底數跳變，產生噪音。

20W快充芯片U8722AH采用了谷底鎖定工作模式，在負載一定的情況下，導通谷底數穩定，系統無噪音。隨著負載的逐漸降低，系統導通的谷底個數逐漸增加，當谷底數超過6個時，不再檢測谷底電壓，系統進入降頻工作模式，通過進一步降低開關頻率，減小開關損耗，優化系統輕載效率。

隨著快充的不斷發展，氮化鎵技術正成為電力電子應用的熱門話題。采用深圳銀聯寶科技研發生產的氮化鎵快充芯片，可集成提供巨大的性能優勢并使用GaN簡化設計，幫助您更大程度地利用這項技術的優勢！