充電器和適配器等快充設備，需匹配高功率密度與寬電壓輸出范圍的快充芯片。深圳銀聯寶科技推出的20V單高壓帶恒功率氮化鎵PD快充芯片U8725AHE，集成高壓啟動、功率器件和保護電路，省去外部Boost/Buck電路及分立元件，縮小PCB面積；內置高壓E-GaN和Boost供電電路，支持寬電壓輸出，切莫錯過！

PD快充芯片U8725AHE主要特性：

1.集成 高壓 E-GaN

2.集成高壓啟動功能

3.超低啟動和工作電流，待機功耗 <30mW

4.谷底鎖定模式， 最高工作頻率兩檔可調(220kHz，130kHz)

5.集成 EMI 優化技術

6.驅動電流分檔配置

7.集成 Boost 供電電路

8.集成完備的保護功能：

VDD 過壓/欠壓保護 (VDD OVP/UVLO)

輸出過壓/欠壓保護 (DEM OVP/UVP)

輸入過壓/欠壓保護 (LOVP /BOP)

片內過熱保護 (OTP)

逐周期電流限制 (OCP)

異常過流保護 (AOCP)

短路保護 (SCP)

過載保護 (OLP)

前沿消隱 (LEB)

CS 管腳開路保護

9.封裝類型 ESOP-7

針對寬輸出電壓應用場合，為了滿足VDD的寬電壓應用需求，往往需要添加額外的電路或者輔助繞組，導致系統功耗和電路成本的增加。PD快充芯片U8725AHE集成了Boost供電技術，僅在SW管腳添加一顆貼片電感即可，在輸出電壓較低時，Boost電路啟動工作，維持VDD電壓在VBOOST_REG (典型值10.1V)，當輸出電壓升高，輔助繞組電壓高于VBOOST_REG時，Boost電路停止工作，VDD由輔助繞組供電。

PD快充芯片U8725AHE引腳說明：

1 CS I/O 電流采樣輸入、最高頻率選擇管腳

2 FB I 系統反饋輸入管腳

3 DEM I/O 消磁檢測、輸出 OVP 檢測、驅動能力分檔判定管腳

4 VDD P 芯片供電管腳

5 SW P Boost 電路內置 MOS 的漏極管腳

6 GND P 芯片參考地

7 DRAIN P 內置高壓 GaN FET 漏極、高壓啟動供電管腳

深圳銀聯寶科技這款20V單高壓帶恒功率氮化鎵PD快充芯片U8725AHE，通過高集成設計、動態功率穩定、谷底鎖定及降頻工作模式等高效能表現，顯著優化了系統體積、可靠性和能效，成為快充設備電源芯片方案的理想選擇！